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發布時間: 2017 - 12 - 07
金屬剝離清洗機-南通華林科納CSE微機電系統(MEMS)是指用微機械加工技術制作的包括傳感器/微致動器/微能源/等微機械基本部分以及高性能的電子集成線路組成的微機電器件與裝置。其典型的生產工藝流程為:成膜工藝(氧化/CVD:LPCVD PECVD/PVD:濺射/電鍍/摻雜:擴散 注入 退火)→光刻圖形(旋涂/光刻/顯影)→干法/濕法/ 刻蝕(濕法刻蝕/硅刻蝕/SiO?刻蝕/去膠清洗/金屬刻蝕/金屬剝離/RCA清洗)設備名稱南通華林科納CSE-金屬剝離清洗機設備系列CSE-CX13系列設備概況尺寸(參考):機臺尺寸 : 1750mmWx1400mmDx1900mmH(具體尺寸根據實際圖紙確定)清洗量:6寸25裝花籃2籃;重量:500Kg( 大約);工作環境:室內放置;主體構造特點外 殼:不銹鋼304 板組合焊接而成。安全門:無安全門,采用敞開式設計;管路系統:藥液管路采用不銹鋼管,純水管路采用CL-PVC管;閥門:藥液管路閥門采用不銹鋼電磁閥門;排 風:后下抽風,動力抽風法蘭位于機臺上部;水汽槍:配有水氣槍各2把,分置于兩側;隔板:藥液槽之間配有隔離板,防止藥液交叉污染;照明:機臺上方配照明(與工作區隔離);機臺支腳:有滑輪裝置及固定裝置,并且有高低調整及鎖定功能。三色警示燈置于機臺上方明顯處。工作槽參數剝離洗槽槽體:不銹鋼316,有效尺寸405×220×260mm;化學藥品:剝離洗液;藥液供液:人工手動加入;工作溫度:60℃并可調;溫度可調;加熱方式:五面體貼膜加熱/投入式加熱器加入熱;液位控制:采用N2背壓數位檢測; 計時功能:工藝時間可設定,并可調,到設定時間后聲鳴提示,點擊按鈕后開始倒序計時;批次記憶:藥液使用次數可記憶,藥液供入時間可記憶,設定次數和設定時間到后更換藥液;排液:排液管道材質為不銹鋼管,按鈕控制;槽蓋:配有手動槽蓋;IPA槽槽體:不...
發布時間: 2016 - 12 - 05
管道清洗機設備—華林科納CSE半自動石英管清洗設備適用于臥式或立式石英管清洗優點石英管清洗:臥式—標準/立式—選項 先進的圖形化界面 極高的生產效率 最佳的占地 結合最先進工藝技術 優越的可靠性 獨特的模塊化結構 極其便于維修 應用 清洗不同尺寸的石英管一般特征 可編程使得清洗管旋轉,清洗更干凈 PVDF工藝槽 裝有清洗溶劑的儲備槽(根據使用化學品的數量)放置在工藝槽的后下方 — 直接注入且內部進行不斷循環 特別的噴淋嘴更益于石英管清洗 集成水槍和N2搶 單獨排液系統 安全蓋子 易于操作和控制 節約用酸系統 全自動的清洗工藝步驟 備件 經濟實惠的PP外殼材料—標準更多的石英管道清洗機設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(www.zgcxlmw.com),現在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
發布時間: 2016 - 03 - 14
1、設備概況:主要功能:本設備主要采用手動搬運方式,通過對擴散、外延等設備的石英管、碳化硅管腐蝕、漂洗等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的清洗效果。主體采用德國勞士領 瓷白PP板,骨架采用不銹鋼 外包PP 防腐板;設備名稱:半自動石英管清洗機設備型號:CSE-SC-N401整機尺寸(參考):4500mm*1500mm*2100mm;被清洗爐管尺寸(Max):也可清洗其它可放入清洗槽中的石英器皿等被清洗物設備形式:室內放置型;節拍:約1--12小時(節拍可調根據實際工藝時間而定)      操作形式:半自動2、設備描述:此裝置是一個半自動的處理設備。PROFACE 8.0英寸大型觸摸屏顯示 / 檢測 / 操作清洗工作過程由三菱 / 歐姆龍PLC控制。3、設備特點: 腐蝕漂洗能力強,性能穩定,安全可靠;設備成本合理,自動化程度高,使用成本低;技術先進,結構合理,適宜生產線上大批次操作;結合華林科納公司全體同仁之力,多年品質保障,使其各部分遠遠領先同類產品;設備上層電器控制系統及抽風系統,中層工作區,下層為管道安裝維修區,主體結構由清洗機主體、酸洗槽、水清洗槽、防漏盤、抽風系統、工件滾動系統、氮氣鼓泡系統、支撐及旋轉驅動機構、管路部分、電控部分。本設備裝有雙防漏盤結構,并有防漏檢測報警系統,在整臺設備的底部裝有接液盤。設備配有在槽體下方配有傾斜式防漏層。4、工藝流程:檢查水、電、氣正常→啟動電源→人工上料→注酸→槽體底部氮氣鼓泡→石英管轉動(7轉/min)→進入酸泡程序→自動排酸(到儲酸箱)→槽體底部自動注水(同時氣動碟閥關閉)→懸浮顆粒物經過溢流壩流出→排水碟閥打開(重顆粒雜質排出)→初級潔凈水經過溢流壩溢出→清洗次數重復循環(人工控制)→下料。 酸洗和水洗在同一槽內完成1#,2#可通過循環泵循環使用...
發布時間: 2017 - 12 - 08
KOH etching is a chemical process used for the fabrication of silicon nanostructures. This etching process has been studied extensively in both research and real-world applications.CSE  provides individualized solutions for customers that want to use this process by using theKOH etching tank along with their existing wet bench equipment. All ofCSE’s KOH tanks are manufactured on site and built per your specifications. All PFA material is used for cleanliness and compatibility.Definition of KOH EtchingPotassium Hydroxide (KOH) etching is a wet chemical etching process used to create cavities in silicon. Highly corrosive alkaline chemical compound (pH 12) is used in conjunction with DI water and thermal regulation. The etch rate is limited; and the precision of Si etching...
發布時間: 2017 - 12 - 08
WET PROCESSING-MANUAL WET BENCHESWet Processing Manual Wet Bench Stations for Clean Room ApplicationsCSE’s wet processing manual wet benches are available in a wide variety of configurations. Standard construction will support both acid and solvent applications. Our standard wet benches give you all of the process and safety features as our fully automated or semi-automatedwet bencheswithout the extra cost for robotics. Our electrical and mechanical engineers prepare sign off drawings for each wet bench order. Our 30 plus years of continues business operation gives you the satisfaction you deserve. All process, etching or cleaning components are built and designed in-house giving you complete turnkey support.Benefits of Wet Processing Manual Benches:§ High end manual eq...
發布時間: 2018 - 01 - 02
Single cavity vertical dryer -CSEApplication of CSE cleaning system to various cleaning and drying processes AdvantageCSE cleaning system is applied to various cleaning and drying processesDifferent configurations (devices that can be placed on desktop operations, single independent, double chambers) for wafer size to 200mm best area, equipment with rollers can be movedSuperior reliabilityUnique modular structure it is extremely easy to repairEasy to use and operate The cleaning and drying machine is equipped with two kinds of automatic and manual systems. It is capable of complicate and different process requirements. Its stability and ease of operation will bring additional economic benefits to any factory. RinseSte can handle wafers of different sizes. The software program th...
發布時間: 2017 - 12 - 08
CSE’s Horizontal Quartz Tube Cleaning Stations are designed and built around your quartz tube configuration. All quartz tube cleaners incorporate an acid spray cycle, rinse cycle and an option dry cycle. Once the application is defined we add appropriate options like holding tanks, programmable rinse cycles, bottle washer and T/C sheath cleaner to complete your design. All tube cleaners include all required safety features with sign off drawings. Our expertise in developingquartz tube cleaning stations and outstanding customer support gives you the satisfaction you deserve. All process, etching or cleaning components are built and designed in-house giving you complete turnkey support. Quartz Tube Cleaning Station Benefits Include:§ Custom designed around your tube requi...
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藍寶石晶片表面凈化技術研究  隨著光電子領域對氮化鎵 (GaN)基發光二極管(LED)的發光性能要求不斷提高 , 從而對金屬有機化學氣相沉積法 (MOCVD)生長 G aN 的藍寶石 (α-A l2O3 )襯底晶片的表面質量要求越來越嚴, 這主要是因為藍寶石襯底晶片拋光表面的雜質沾污會嚴重影響 LED的質量和成品率 ,對于開盒即用 (是經清洗封裝后的晶片, 從片盒里取出后即可以投入到MOCVD生長爐中直接使用而不需要額外的清洗)的 2英寸藍寶石襯底晶片,影響 G aN 生長的臨界顆粒尺寸為 0. 3μm,拋光片表面大于 0. 2 μm 的顆粒數應小于 20個 /片。在目前的 LED生產中, 仍有 50%以上的廢品是由于表面污染引起的, 由于在襯底晶片生產中 , 幾乎每道工序都有清洗問題, 所以藍寶石晶片清洗的好壞對 LED 的發光性能有嚴重的影響 , 處理不當, 可能使全部藍寶石晶片報廢, 做不出 LED 管子來, 或者制造出來的 LED性能低劣、穩定性和可靠性很差。因此弄清楚藍寶石晶片清洗的方法和原理 ,不管是對從事藍寶石晶片加工還是 LED 生產的人來說都具有十分重要的工程意義。  以下主要針對藍寶石晶片的凈化原理 、凈化工藝、凈化效果等方面技術問題進行了研究 , 提出了能夠滿足 G aN 生長要求的藍寶石晶片的凈化工藝和清洗液的配方 。...
發布時間: 2017 - 01 - 19
瀏覽次數:226
光刻版清洗設備工藝  光刻技術是大規模集成電路制造技術和微光學、微機械技術的先導和基礎,他決定了集成電路(IC)的集成度[1]。光刻版在使用過程中不可避免地會粘上灰塵、光刻膠等污染物,這些污染物的存在直接影響到光刻的效果。近些年,國家將 LED照明列入為重點發展產業,LED 行業迅猛發展。LED 制造過程中,具有光刻版的使用量多,使用頻繁的特點。大多生產廠家為了節省成本,主要采用接觸式曝光。接觸式曝光雖然可以利用成本低廉的設備達到較高的曝光精度,但是由于甩膠式涂膠方法會造成晶圓邊緣膠層過厚,在接觸式曝光過程中光刻版極易接觸到晶圓邊緣的光刻膠,導致光刻膠粘附到光刻版表面(圖 1)。對于 IC 行業,因為線條更細,精度要求更高,所以光刻版的潔凈程度更加重要。對于硅片清洗而言,其顆粒移除率(PRE)不需要達到 100%,但對于光刻版而言卻并非如此,其原因是對于產品良率而言,光刻版表面顆粒的影響更大,單晶圓缺陷只影響一個缺陷,而一個光刻版卻影響到每一個芯片[2,3]。由于零成像缺陷是可以實現的,工廠內生產的光刻版需要經常清洗。為了保證光刻版潔凈,必須定期對光刻版進行清洗,而清洗的效果與清洗工藝以及各清洗工藝在設備上的合理配置有著密切的聯系。1 光刻版清洗工藝1.1 光刻膠及其他有機污染物的去除對于光刻膠及其他有機污染物,比較常見的方法是通過有機溶劑將其溶解的方法將其去除...
發布時間: 2017 - 01 - 11
瀏覽次數:341
從半導體原材料到轉化為各式各樣的集成電路或者分立器件,其轉化過程利用了幾百種復雜程度不同的化學反應。毫無疑問,在半導體的制造工業中,需要大量的特殊材料和化學品。芯片制造首要是一種化學工藝,或者更準確地說,是一系列的化學 物理工藝過程,高達20%工藝步驟是wafer清洗和表面的處理。  近年來光電與光伏半導體工業發展迅速,相關的制程越來越復雜,線寬越來越窄(已將進入納米級),工藝要求也越來越高,生產過程需要使用大量的化學藥品,而這些化學品都具有一定危險性和腐蝕性,稍有疏忽,就會造成人員傷亡和設備的損失,所以如何將這些化學品在保證品質的前提下安全輸送到制程設備并安全使用是至關重要的,同時如何將這些使用過的化學品合理地回收處理,也將是半導體產業工廠生產安全的重要問題,這些都對工廠各系統的持續無故障運行能力以及所提供的制程相關原料品質提出了更高的要求。在半導體產業化的生產中,化學液供應系統主要以中央供應系統為主,用量較少之化學液則采取人工供應方式。   中央化學液供應系統縮寫為CDS(Chemical Dispense Systerm)或者簡寫為BCD(Bulk Chemical Distribution),它是為生產線24h不間斷供應化學液的系統。一般使用CDS系統的化學液都有需求量大、危險性高的特點。 CDS系統上主要供應給以下的工藝步...
發布時間: 2017 - 01 - 10
瀏覽次數:464
半導體濕法清洗專家華林科納介紹硅片清洗機的相關工藝1、硅片清洗機概述   硅片清洗機廣泛應用于光伏,電子等行業硅片清洗;由于硅片在運輸過程中會有所污染,表面潔凈度不是很高,對即將進行的腐蝕與刻蝕產生很大的影響,所以首先要對硅片表面進行一系列的清洗操作。清洗的一般思路首先是去除表面的有機沾污,然后溶解氧化膜,因為氧化層是“沾污陷進”,會引起外延缺陷;再去除顆粒、金屬等,同時使硅片的表面鈍化。  目前多采用傳統的RCA清洗方法,不僅可以去除硅片表面的金屬、有機物等,還可以去除小顆粒等污染物。2、清洗工藝  RCA清洗法  RCA清洗法又稱工業標準濕法清洗工藝,是由美國無線電公司(RCA)的Kem和Puotinen等人于20世紀60年代提出后,由此得名。  RCA濕法清洗由兩種不同的化學溶液組成,  SPM具有很高的金屬氧化能力,可將金屬氧化后溶于清洗液中,并能將有機物氧化生成二氧化碳和水。用SPM清洗硅片可以去除表面的種有機沾污和部分金屬,當沾污特別嚴重時,難以去除干凈。  DHF(HF),可以去除硅片表面的自然氧化膜,同時抑制氧化膜的形成。易去除硅表面的Al、Fe、Zn、Ni等金屬,也可以去除自然氧化膜上的氫氧化物。在自然那氧化膜被腐蝕掉時,硅片...
發布時間: 2017 - 01 - 06
瀏覽次數:157
半導體加工中的刻蝕技術包括濕法化學刻蝕 (Wet Chemical Etching),等離子刻蝕(Plasma Etching),反應離子刻蝕(Reactive Ion Etching)和離子研 磨(Ion Milling)。與其它刻蝕技術相比,濕法化學刻蝕工藝的主 要優點是成本低,對硅片上器件幾乎無損害,高選 擇比。缺點是各向異性差,工藝控制性(對溫度敏 感)差,微顆粒控制差,化學品處理費用高,由于氣 泡等因素很難使用于小的圖形。 半導體工業中的濕法刻蝕工藝,主要使用酸 液去除金屬、二氧化硅(SiO2)、硅等材料。相比等離子刻蝕,在刻蝕速率和經濟性上要高于后者,但由 于酸液刻蝕在方向性上為各向同性,在高深寬比 溝槽的刻蝕控制上也不及后者,所以濕法刻蝕多 用于線寬尺寸較大,對刻蝕圖形精度要求不太高 的應用。 在單片濕法刻蝕方法與傳統槽式處理方法相 比,避免了在同一槽內批處理時硅片之間的互相污 染,潔凈度好,且單片處理速度更快,對刻蝕圖形的 精度控制也好于后者。 濕法刻蝕供酸管路系統的主體為主循環回 路,并有其它輔助的管路用于化學液補充或廢液子刻蝕,在刻蝕速率和經濟性上要高于后者,但由 于酸液刻蝕在方向性上為各向同性,在高深寬比 溝槽的刻蝕控制上也不及后者,所以濕法刻蝕多 用于線寬尺寸較大,對刻蝕圖形精度要求不太高 的應用。 在單片濕法刻蝕方法與傳統槽式處理方法相 比,避免了在同一槽...
發布時間: 2017 - 01 - 04
瀏覽次數:170
濕刻蝕是通過化學刻蝕液和被刻蝕物質之間的化學反應將被刻蝕物質剝離下來的刻蝕方法。大多數濕法刻蝕是不容易控制的各向同性刻蝕。(1) 特點:適應性強,表面均勻性好、對硅片損傷少,幾乎適用于所有的金屬、玻璃、塑料等材料。(2) 缺點:圖形刻蝕保真想過不理想,刻蝕圖形的最小線難以掌控。(3) 植入廣告!!該公司在這濕蝕刻方面比較優越!!!!!蘇州華林科納,成立于2008年3月,總投資4500萬元;目前已形成濕法清洗系統、刻蝕系統、CDS系統、尾氣處理系統的四大系列數十種型號的產品; 廣泛應用于大規模集成電路電力電子器件、光電子器件、MEMS和太陽能電池等領域。 干法刻蝕的刻蝕劑是等離子體,是利用等離子體和表面薄膜反應,形成揮發性物質,或直接轟擊薄膜表面使之被腐蝕的工藝。(1) 特點:能實現各向異性刻蝕,從而保證細小圖形轉移后的保真性。(2) 缺點:造價高。 從所產生通道截面形狀分類,刻蝕又可分為兩類:各向同性刻蝕和各向異性刻蝕。(1) 各向同性刻蝕:刻蝕劑從基片表面向下腐蝕的速率與在其他各方向大致相同,這種刻蝕成為各向同性刻蝕。例如含氫氟酸的溶液刻蝕玻璃和石英就是各向同性的。(2) 各向異性刻蝕:刻蝕劑在某一方向的刻蝕速率遠大于其他方向時,就是各向異性刻蝕。例如用氫氧化鈉、氫氧化鉀等堿金屬的氫氧化物或季銨鹽刻蝕硅片時是各向異性的更多的半導體材料工藝設備相關資訊可以關注華...
發布時間: 2016 - 12 - 28
瀏覽次數:232
黑硅作為興起的一種新型硅材料,以其在可見光與近紅外波段有極高的光吸收率,使其對光線十分敏感 ,它的光敏感度可以達到傳統硅材料的 100 ~ 500 倍。在正常情況下 ,一個光子只能產生一個電子 ,而在黑硅這種材料中 ,由于它具備光電導增益效果,可以由一個光子產生多個電子, 從而使電流增大200 ~ 300 倍 ,使其在微光探測方面的性能較一般材料有著飛躍般的進步 ,并且黑硅的制造工藝可以較容易地嵌入到目前的半導體工藝中, 使其在照相機 、夜視儀等光電探測方面有著廣闊的應用前景 。 目前國際上其通用的制備方式主要有兩種 :飛秒激光器刻蝕和深反應離子刻蝕(DRIE)。其中 ,飛秒激光器刻蝕是SF6 環境下, 利用飛秒激光器產生的超短脈沖激光對硅片表面進行輻照,其激光脈沖的高能在與硅片表面作用的同時, 在表面附近積聚大量能量 , 能瞬間使背景氣體SF6 分解出游離的 F-離子, 并與表面汽化的 Si 原子生成易揮發的 SiF2 和 SiF4 ,使硅片表面不斷被刻蝕 ,最終形成準規則排列的微米量級尖錐結構 。這樣改造后的硅表面具有極高的光吸收率 , 而反應離子刻蝕(RIE)的原理是利用一定壓強下的刻蝕氣體在高頻電場的作用下 ,通過氣體輝光發電產生等離子體(其中包含了大量的分子游離基團), 通過電場加速活性基團對被刻蝕物體進行離子轟擊和化學反應 ,生成揮發性氣體, 反應產物在低壓真...
發布時間: 2016 - 12 - 14
瀏覽次數:193
—華林科納 網絡部離子注入出現:隨著集成電路集成度的提高,對期間源漏結深的要求,切傳統的擴散已無法景尊控制雜質的分布形式以及濃度了。離子束射到固體材料以后,離子束與材料中的原子或分子將發生一系列物理的和化學的相互作用,入射離子逐漸損失能量,最后停留在材料中,并引起材料表面成分、結構和性能發生變化,這一現象就叫做離子注入。離子束的用途:摻雜、曝光、刻蝕、鍍膜、退火、凈化等,不同的用途需要不同的離子量。 離子注入系統: 離子注入的特點:(1) 可以獨立控制雜質分布和雜質濃度(2) 各向異性摻雜(3) 容易獲得高濃度摻雜 離子注入與擴散的比較 離子注入的優缺點:(1) 優點:可控性好,注入溫度低,工藝靈活,可以獲得任意的摻雜濃度分布,結面比較平坦,均勻性和重復性好,擴大了雜質的選擇范圍。(2) 缺點:離子注入將在靶中產生大量晶格缺陷,難以獲得很深的結深,離子注入的生產效率比擴散低系統復雜安昂貴。更多的半導體濕法腐蝕刻蝕清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(www.hlkncas.com),現在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
發布時間: 2016 - 12 - 13
瀏覽次數:152
一、芯片清洗用超純水設備優點     1、無需酸堿再生:在混床中樹脂需要用化學藥品酸堿再生,而EDI則消除了這些有害物質的處理和繁重的工作。保護了環境。    2、連續、簡單的操作:在混床中由于每次再生和水質量的變化,使操作過程變得復雜,而EDI的產水過程是穩定的連續的,產水水質是恒定的,沒有復雜的操作程序,操作大大簡便化。  3、降低了安裝的要求:EDI系統與相當處理水量的混床相比,有較不的體積,它采用積木式結構,可依據場地的高度和靈活的構造。模塊化的設計,使EDI在生產工作時能方便維護。  二、芯片清洗用超純水設備的工藝流程  1、采用離子交換方式,其流程如下:    原水→原水加壓泵→多介質過濾器→活性炭過濾器→軟水器→精密過濾器→陽樹脂過濾床→陰樹脂過濾床→陰陽樹脂混床→微孔過濾器→用水點。  2、采用兩級反滲透方式,其流程如下:    原水→原水加壓泵→多介質過濾器→活性炭過濾器→軟水器→精密過濾器→第一級反滲透 →PH調節→中間水箱→第二級反滲透(反滲透膜表面帶正電荷)→純化水箱→純水泵→微孔過濾器→用水點。...
發布時間: 2016 - 12 - 12
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碳化硅磨料所具有的特性(硬度高、抗壓強度高、耐磨性好),使碳化硅磨具在磨削加工中成為磨削硬脆材料及硬質合金的理想工具,不但效率高、精度高,而且粗糙度好、磨具消耗少、使用壽命長,同時還可改善勞動條件。因此廣泛用于普通磨具難于加工的低鐵含量的金屬及非金屬硬脆材料,如硬質合金、高鋁瓷、光學玻璃、瑪瑙寶石、半導體材料、石材等。   碳化硅的分類:(黑碳化硅、綠碳化硅)含量越高純度越高、物理性能越好。含量在98%——特級品含量在95%-98%——一級品含量在80%-94%——二級品含量在70%左右——三級品   主要雜質有:游離硅(F.Si)一部分溶解在碳化硅晶體,一部分與其它金屬雜質(鐵、鋁、鈣)呈金屬狀態存在。游離二氧化硅(F.SiO2)通常存在于晶體表面,大都是由于冶煉碳化硅電阻爐冷卻過程中,碳化硅氧化而形成。   碳化硅生產工藝:原料破碎配料&混料:采用錘式破碎機對石油焦破碎到工藝要求的粒徑。按照規定配方稱量配料并混勻,采用混凝土攪拌機對石油焦和石英砂混料作業。電爐準備:把上次用過的爐重新修整、整理,以再次投入使用。作業內容包括潔理爐底料,修整電極,清理爐墻并修補,去裝力、1擋, 檢查、排除爐的其他缺陷。裝爐:按照規定的爐料類別、部位、尺寸往爐內裝填反應料、保溫料、爐芯材料,并砌筑具有保溫和盛料作用的熔煉爐側墻送電冶...
發布時間: 2016 - 12 - 06
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