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發布時間: 2016 - 12 - 02
太陽能單晶制絨清洗機設備-CSE南通華林科納CSE密切跟蹤太陽能光伏行業發展,致力于“設備+工藝”的研發模式,現生產的單多晶制絨設備已經形成了良好的客戶基礎和市場影響。生產工藝流程為:預清洗→制絨→擴散→刻蝕→去PSG→PECVD→印刷→燒結太陽能電池片濕法設備主要技術特點:1.獨特的雙槽制絨工藝槽設計;2.分立式加熱系統保證溶液均勻性并降低運營成本;3.多通道注入結構實現制絨工藝槽溶液均勻性控制;4.機械傳動特殊設計及人性化安全保證;5.適應性強的工藝過程控制。  在太陽能電池生產中,制絨是晶硅電池的第一道工藝。華林科納CSE的工程師提到對于單晶硅來說,制絨的目的就是延長光在電池表面的傳播路徑,從而提高太陽能電池對光的吸收效率。單晶硅制絨的主要方法是用堿(NaOH、KOH)對硅片表面進行腐蝕。由于硅片的內部結構不同,各向異性的堿液制絨主要是使晶向分布均勻的單晶硅表面形成類似“金字塔”狀的絨面,有效地增強硅片對入射太陽光的吸收,從而提高光生電流密度。對于既可獲得低的表面反射率,又有利于太陽能電池的后續制作工藝的絨面,應該是金字塔大小均勻,單體尺寸在 2~10 μm之間,相鄰金字塔之間沒有空隙,即覆蓋率達到100%。理想質量絨面的形成,受到了諸多因素的影響,如硅片被腐蝕前的表面狀態、制絨液的組成、各組分的含量、溫度、反應時間等。而在工業生產中,對這一工藝過程的影響因素更加復雜,例如加工硅片的數量、醇類的揮發、反應產物在溶液中的積聚、制絨液中各組分的變化等。為了維持生產良好的可重復性,并獲得高的生產效率。就要比較透徹地了解金字塔絨面的形成機理,控制對制絨過程中影響較大的因素,在較短的時間內形成質量較好的金字塔絨面。      單晶制絨的工藝比較復雜,不同公司有各自獨特的制絨方法。一般堿制絨有以下幾種方法:Na...
發布時間: 2016 - 06 - 02
全自動硅料清洗機 ---華林科納CSE南通華林科納CSE密切跟蹤太陽能光伏行業發展,致力于“設備+工藝”的研發模式,現生產的單多晶制絨設備已經形成了良好的客戶基礎和市場影響。生產工藝流程為:預清洗→制絨→擴散→刻蝕→去PSG→PECVD→印刷→燒結太陽能電池片濕法設備主要技術特點:1.獨特的雙槽制絨工藝槽設計;2.分立式加熱系統保證溶液均勻性并降低運營成本;3.多通道注入結構實現制絨工藝槽溶液均勻性控制;4.機械傳動特殊設計及人性化安全保證;5.適應性強的工藝過程控制。特點:1)主要用于對硅材料行業中多晶硅塊進行清洗干燥處理。2)工藝流程:根據客戶需求定制,可處理腐蝕、清洗、超聲、加熱、干燥、上料 、噴淋 、酸洗、漂洗、下料等工藝;3)控制方式:手動或自動4)材質:根據客戶及工藝需求選用,可選PP、PVC、PVDF、石英、不銹鋼等材質,保證設備的耐用性;5)槽體的槽底均為傾斜漏斗式結構,便于清洗和排渣;  6)設備設有旋轉裝置使工件達到更好的清洗效果;7)頂部設有排霧系統結合酸霧塔進行廢霧、廢水處理避免污染環境;8)PLC控制人機界面操作顯示能根據實際情況更改清洗參數。更多的太陽能光伏清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(www.zgcxlmw.com),現在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
發布時間: 2016 - 03 - 10
全自動硅芯硅棒清洗機---CSE南通華林科納CSE密切跟蹤太陽能光伏行業發展,致力于“設備+工藝”的研發模式,現生產的單多晶制絨設備已經形成了良好的客戶基礎和市場影響。生產工藝流程為:預清洗→制絨→擴散→刻蝕→去PSG→PECVD→印刷→燒結太陽能電池片濕法設備主要技術特點:1.獨特的雙槽制絨工藝槽設計;2.分立式加熱系統保證溶液均勻性并降低運營成本;3.多通道注入結構實現制絨工藝槽溶液均勻性控制;4.機械傳動特殊設計及人性化安全保證;5.適應性強的工藝過程控制。產品描述1)主要用于對硅材料行業中多晶硅塊進行清洗干燥處理。2)工藝流程:根據客戶需求定制,可處理腐蝕、清洗、超聲、加熱、干燥、上料 、噴淋 、酸洗、漂洗、下料等工藝;3)控制方式:手動或自動4)材質:根據客戶及工藝需求選用,可選PP、PVC、PVDF、石英、不銹鋼等材質,保證設備的耐用性;5)槽體的槽底均為傾斜漏斗式結構,便于清洗和排渣;  6)設備設有旋轉裝置使工件達到更好的清洗效果;7)頂部設有排霧系統結合酸霧塔進行廢霧、廢水處理避免污染環境;8)PLC控制人機界面操作顯示能根據實際情況更改清洗參數。更多的太陽能光伏清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(www.hlcas.com),現在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
發布時間: 2016 - 06 - 29
全自動制絨清洗機設備--CSE南通華林科納CSE密切跟蹤太陽能光伏行業發展,致力于“設備+工藝”的研發模式,現生產的單多晶制絨設備已經形成了良好的客戶基礎和市場影響。生產工藝流程為:預清洗→制絨→擴散→刻蝕→去PSG→PECVD→印刷→燒結太陽能電池片濕法設備主要技術特點:1.獨特的雙槽制絨工藝槽設計;2.分立式加熱系統保證溶液均勻性并降低運營成本;3.多通道注入結構實現制絨工藝槽溶液均勻性控制;4.機械傳動特殊設計及人性化安全保證;5.適應性強的工藝過程控制。產品描述1)主要用于對硅材料行業中多晶硅塊進行清洗干燥處理。2)工藝流程:根據客戶需求定制,可處理腐蝕、清洗、超聲、加熱、干燥、上料 、噴淋 、酸洗、漂洗、下料等工藝;3)控制方式:手動或自動4)材質:根據客戶及工藝需求選用,可選PP、PVC、PVDF、石英、不銹鋼等材質,保證設備的耐用性;5)槽體的槽底均為傾斜漏斗式結構,便于清洗和排渣;  6)設備設有旋轉裝置使工件達到更好的清洗效果;7)頂部設有排霧系統結合酸霧塔進行廢霧、廢水處理避免污染環境;8)PLC控制人機界面操作顯示能根據實際情況更改清洗參數。更多的太陽能單晶多晶硅片制絨腐蝕清洗機設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(www.hlcas.com),現在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
發布時間: 2016 - 06 - 09
硅片濕法清洗技術與設備---華林科納CSE硅片制造過程中,在進行下一步工藝前要獲得 一個潔凈的表面,以保證后道工藝能再一個完全潔 凈的表面上進行,這就需要對硅片進行清洗。清洗是硅片制造過程中重復次數最多的工藝。目前,在 清洗工藝中使用最多的就是濕法清洗技術,華林科納半導體設備公司的硅片濕法腐蝕清洗機在半導體行業得到了很多客戶的認可.1 硅片濕法清洗的種類1.1 刷洗刷洗是去除硅片表面顆粒的一種直接而有效的方法,該清洗技術一般用在切割或拋光后的硅片清洗上,可高效地清除拋光后產生的大量顆粒。刷洗一般有單面或雙面兩種模式,雙面模式可同時清洗硅片的兩面。刷洗有時也與超聲及去離子水或化學液一起配合使用,以達到更好的清洗效果和更高的清洗效率。1.2 化學清洗1.2.1 RCA 清洗20 世紀 60 年代,由美國無線電公司(RCA)研發了用于硅片清洗的 RCA 清洗技術,這種技術成為后來各種化學清洗技術的基礎,現在大多數工廠所使用的清洗技術都是基于最初的 RCA 清洗法。RCA 清洗是按照一定的順序依次浸入兩種標準清洗液(SC-1 和 SC-2)中來完成,這兩種清洗液的使用溫度一般在 80 ℃以內,有時也需要將溶液冷卻到室溫以下。1.2.2 改進的 RCA 清洗RCA 清洗一般都需要在高溫下進行,并且化學液的濃度很高,這樣就造成大量消耗化學液和去離子水的問題。目前,很少有人還按照最初的 RCA化學液配比進行濕法清洗。在 RCA 清洗的基礎上,采用稀釋化學法,將SC-1、SC-2 稀釋到 100 倍以上,也可以達到甚至超過最初的 RCA 清洗效果。改進的 RCA 清洗方法最大的好處是減少了化學液的消耗,可使化學液的消耗量減少 85﹪以上。另外,附加兆聲或超聲能量后,可大大降低溶液的使用溫度和反應時間,提高溶液的使用壽命,大幅度降低了生產成本,同時,低濃度化學液對人體健康和安全方面...
發布時間: 2016 - 03 - 10
太陽能硅片制絨腐蝕清洗機-CSE在光伏發電領域,由于多晶硅電池片成本較低,其 市 場 占有率已躍居首位,但相對于單晶硅電池片而言仍存在著反 射率較高、電池效率不足的缺陷。為縮小多晶硅太陽能電池 片與單晶硅太陽能電池片之間的差距,采用織構化多晶硅表 面的方法提高多晶硅片吸光能力是一條行之有效的途徑。目前,多晶硅表面織構化的方法主要有機械刻槽、激光刻槽、反應離子體蝕刻、酸腐蝕制絨等,其中各 向同性酸腐制絨技術的工藝簡單,可以較容易地整合到多晶 硅太陽能電池的生產工序中,同時成 本 最 低,因 而 在 大 規 模 的工業生產中得到了廣泛的應用。更多的太陽能硅片制絨腐蝕清洗機設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(www.zgcxlmw.com),現在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
發布時間: 2016 - 12 - 05
花籃/片盒清洗機-華林科納CSE 完美適應當前所有型號的花籃和片盒、傳輸片盒、前端開口片盒(Foup片盒)的清洗和干燥系統優點裝載晶圓直徑至200mm的花籃和片盒—或不同晶圓尺寸的花籃和片盒,同時可裝載晶圓直徑至300mm的前端開口片盒(Foup片盒)三種設備尺寸滿足客戶特殊需求 CleanStep I – 用于4組花籃和片盒加載和清洗能力:每次4組花籃和片盒清洗產能:每小時12組花籃和片盒 CleanStep II – 用于8組花籃和片盒加載和清洗能力:每次8組花籃和片盒清洗產能:每小時24組花籃和片盒 CleanStep III – 用于6組前端開口片盒(Foup)加載和清洗能力:每次6組前端開口片盒(Foup片盒)清洗產能:每小時18組前端開口片盒(Foup片盒) 適用于晶圓直徑至200mm的花籃和片盒的標準旋轉籠(Cleanstep I/II) 適用于所有片盒一次清洗過程 或是同時4組花籃和片盒,或是12個花籃(Cleanstep I/II) 簡單快捷的對不同尺寸的片盒和花籃進行切換 旋轉籠內的可旋轉載體方便加載或卸載花籃和片盒 通過控制系統對自鎖裝置的檢測,達到安全加載片盒和花籃,及其運行特征和優點可應用不同化學品(稀釋劑)來清洗 泵傳輸清洗液 計量調整可通過軟件設置控制操作熱水噴淋裝置 熱水一般由廠務供應 — 標準化 或有一個體積約100升的熱水預備槽(循環泵和加熱棒用于熱水預備槽—選項) 籠子 帶有可變速旋轉的控制的高扭矩伺服電機(按照加載量和設備配置,最大旋轉速度200rpm,) 旋轉的不銹鋼籠子 會自動停止工作(運行過程中出現失衡狀態時)熱空氣干燥 頂端吹下熱空氣 采用根據設備待機和工藝運行模式的可調風量的風扇裝置 不銹鋼架上裝有加熱器,可以溫度控制 軟件監控溫度 帶有反壓控制的高效過濾器輔助功能和操作控制 觸摸屏安裝在前面—標準化 也...
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濕法蝕刻仍被廣泛地應用于當今集成電路制造領域,因其工藝可精確控制薄膜的去除量以及工藝過程中對原材料的損耗較低,在今后很長一段時間內其地位將無法被取代。      隨著工藝尺寸的不斷縮小,器件可靠性變得越來越重要,但濕法蝕刻均勻性卻逐漸成為提高器件可靠性的一個瓶頸。集成電路工藝技術正進一步向大尺寸晶圓和小尺寸單個器件的方向發展,如何持續保持和提高濕法蝕刻的均勻性是集成電路工藝技術研究中的一個熱點。      濕法刻蝕的設備目前主要有槽式刻蝕機和單片刻蝕機兩種,槽式刻蝕機采用浸沒式處理,刻蝕反應時硅片完全浸沒在藥液槽中,表面較均勻,所以其刻蝕均勻性也較好。      單片刻蝕機采取噴灑式工藝,由于硅片表面的藥液層厚度較難控制,所以其刻蝕均勻性相對較差。研究發現,低刻蝕率化學藥液的均勻性比高刻蝕率藥液好,原因是刻蝕率低的藥液反應劇烈程度小,所以容易得到較均勻的表面.在影響濕法刻蝕均勻性的關鍵因素方面,對于槽式刻蝕機,硅片進出藥液槽的時間以及硅片從藥液槽到純水槽的傳送速度很關鍵;對于單片式刻蝕機,硅片的自轉轉速和噴灑頭的運動速度對刻蝕率均勻性影響很大。去離子水清洗方面,加入噴淋和快速排水功能有助于防止二次蝕刻,從而達到提高刻蝕均勻性的目的。&...
發布時間: 2016 - 12 - 02
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刻蝕設備在太陽能晶硅電池刻蝕工藝中的應用——華林科納CSE在晶體硅太陽能電池的制備過程中,邊緣刻蝕作為生產工藝的重要一環,其質量的好壞直接影響著太陽能電池片質量的好壞。當前,電池片的刻蝕主要采用的工藝有:等離子體刻蝕、化學腐蝕刻蝕和利用激光劃線刻蝕。1 工藝及設備原理等離子體和激光邊緣刻蝕在整個晶體硅太陽能電池片的生產工藝流程中的位置如圖 1 所示,等離子體刻蝕一般處于擴散工藝之后,而激光邊緣刻蝕處于燒結工藝后面。傳統的等離子體刻蝕設備主要是采用 ICP技術,配備 RF 電源組成的反應系統及干式真空泵排氣系統等[2],其設備原理如圖 2 所示,工作時先將硅片“疊硬幣”式裝入刻蝕夾具,然后放入反應室中,硅片在全氟化物(PFC)活性等離子混合氣體中旋轉,氟離子與電池片側面的硅原子反應,以去除暴露在邊緣的材料(pn 結),達到正背面絕緣目的,同時產生氟化硅氣體,然后通過廢氣系統排出。激光精密微細加工技術隨著自動化程度的提高和激光器類型的發展應用越來越成熟,激光技術已越來越廣泛地使用到太陽能電池的埋柵刻槽、打孔、劃片等工藝中。在太陽能硅片電池劃片工藝的應用中使用激光器的選型此前已做了很多試驗工作,Schoonderbeek [3] 對單晶硅激光劃線進行了綜合分析,對紅外(1 060~1 070 nm)、綠色(532 nm)和紫外(355 nm)激光照射(納秒脈沖寬度)前后的表面載流子壽命進...
發布時間: 2016 - 12 - 01
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華林科納砷化鎵生產工藝-砷化鎵清洗設備砷化鎵是一種重要的半導體材料。屬Ⅲ- Ⅴ族化合物半導體。屬閃鋅礦型晶格結構, 晶格常數5.65×10-10m,熔點1237℃,禁帶 寬度1.4電子伏。 砷化鎵于1964年進入實用階段。砷化鎵 可以制成電阻率比硅、鍺高3個數量級以上 的半絕緣高阻材料,用來制作集成電路襯底、 紅外探測器、γ光子探測器等。 由于其電子遷移率比硅大5~6倍,故在 制作微波器件和高速數字電路方面得到重要 應用。用砷化鎵制成的半導體器件具有高頻、 高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強 等優點。 砷化鎵備料——對坩堝及備件的處理:1將石英件和PBN坩堝放入煅燒爐中煅燒 目的是除去坩堝表面的雜質;2將石英件和PBN坩堝送入腐蝕間用王水進行酸洗 目的是除去附著在坩堝上的金屬離子;3將石英件和PBN坩堝用純水清洗 目的是洗去酸液;4將石英件和PBN坩堝用超聲波清洗 目的是除去剩余的小顆粒雜質 將石英件和PBN坩堝烘干。目的是除去水分;5將石英件和PBN坩堝送入裝料間備用。砷化鎵備料——對籽晶、多晶的處理:1用砂紙對籽晶和多晶進行打磨2將籽晶和多晶送入腐蝕間用王水進行酸洗 目的是除去附著在籽晶和多晶的金屬離子3將籽晶和多晶送入清洗間用純水進行清洗目 的是洗去酸液4用沸水清洗,將籽晶和多晶送入烘干箱內烘干5將籽晶和多晶送入裝料間備用將籽晶和多晶送入裝料間備用:A...
發布時間: 2016 - 11 - 29
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濕法化學腐蝕是最早用于微機械結構制造的加工方法。所謂濕法腐蝕,就是將晶片置于液態的化學腐蝕液中進行腐蝕,在腐蝕過程中,腐蝕液將把它所接觸的材料通過化學反應逐步浸蝕溶掉。用于化學腐蝕的試劑很多,有酸性腐蝕劑,堿性腐蝕劑以及有機腐蝕劑等。以后為華林科納半導體設備技術的工程師淺談在半導體濕法腐蝕清洗過程中遇到的清洗注意事項:1、硫酸雙氧水去膠         說明:去除光刻膠  配比:H2SO4:H2O2=3:1        溫度:140℃          流程:1槽5分鐘→溢流5分鐘→2槽5分鐘→沖水10次→甩干 2、DHF去二氧化硅         說明:HF酸漂去二氧化硅 配比:HF:H2O=1:10         溫度:室溫          流程:HF酸漂洗(依漂去二氧化硅厚度定時)→溢流5分鐘→沖水10次→甩干 3、氮化硅...
發布時間: 2016 - 11 - 23
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半導體藍寶石晶片清洗介紹--華林科納CSE清洗環境  % `- K4 M2 z" c$ |7 [/ k) g整個藍寶石的加工環境對最終藍寶石晶片的表面質量有很大的影響,對開盒即用的藍寶石晶片,通常拋光、清洗需要在100級以下的凈化室中進行,最后的凈化和封裝需要在10級的凈化臺中進行。同時操作人員需要著防塵服,人員進入凈化室要經過風淋處理。清洗工藝  ( b$ Y, O$ M) w, r針對開盒即用藍寶石晶片的表面質量要求, 根據上述的凈化原理, 對切割、磨削、研磨、拋光等不同工序的晶片清洗工藝進行了優化, 由于拋光后的清洗是最復雜的清洗, 也是要求最高的最后一道凈化工序, 清洗后就封裝, 交用戶進行GaN 外延生長。所以這里詳細分析拋光后藍寶石晶片的清洗方法, 拋光后的藍寶石晶片的具體清洗工藝和清洗劑的配方如下: a 拋光后的藍寶石晶片在50℃-60℃的三氯乙烷中用兆聲波清洗15分鐘; b 在20℃-25℃的丙酮中清洗2分鐘; c 用去離子水流清洗2分鐘;  ) r$ l4 l' A9 ?. c) L; `$ Dd 在80℃-90℃的2號液(該清洗劑各組分的體積比是1:4:20)中,兆聲波清洗10分鐘;  e 用去離子水流清洗2分鐘;  f 擦藍寶石晶片(可用擦片機);  g 在90℃-95℃的1號液(該清洗劑各...
發布時間: 2016 - 11 - 13
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硅片清洗原理與方法---蘇州華林科納CSE1 引言 硅片經過切片、倒角、研磨、表面處理、拋光、外延等不同工序加工后,表面已經受到嚴重的沾污,清洗的目的就是為了去除硅片表面顆粒、金屬離子以及有機物等污染。2 硅片清洗的常用方法與技術化學清洗是指利用各種化學試劑和有機溶劑與吸附在被清洗物體表面上的雜質及油污發生化學反應或溶解作用,或伴以超聲、加熱、抽真空等物理措施,使雜質從被清除物體的表面脫附(解吸),然后用大量高純熱、冷去離子水沖洗,從而獲得潔凈表面的過程。在半導體器件生產中,大約有30%的工序和硅片清洗有關,而不同工序的清洗要求和目的也是各不相同的,這就必須采用各種不同的清洗方法和技術手段,以達到清洗的目的。 化學清洗又可分為濕法化學清洗和干法化學清洗,其中濕法化學清洗技術在硅片表面清洗中仍處于主導地位,因此本文僅對濕法化學清洗及與之相關的技術進行介紹。3 濕法化學清洗原理常用化學試劑及洗液的去污能力,對于濕法化學清洗的清洗效率有決定性的影響,根據硅片清洗目的和要求選擇適當的試劑和洗液是濕法化學清洗的首要步驟。4 濕法化學清洗方法4.1 溶液浸泡法溶液浸泡法就是通過將要清洗的硅片放入溶液中浸泡來達到清除表面污染目的的一種方法,它是濕法化學清洗中最簡單也是最常用的一種方法。它主要是通過溶液與硅片表面的污染雜質在浸泡過程中發生化學反應及溶解作用來達到清除硅...
發布時間: 2016 - 11 - 14
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華林科納CSE晶圓電鍍設備分兩個系列, CPE(半自動)/CPEA(全自動),主要 用于半導體晶圓凸點UBM金屬層制作 以及陶瓷基板上的金屬層的電鍍; 還 可用于硅片制造中表層剝離、去除雜 質以及大尺寸圖形腐蝕等方面。? 目前,比較典型的凸點制作工藝流程主要包括焊料凸點制作和金凸點制作。? 焊料凸點制作工藝流程: ? 清洗→濺射Ti/Cu→光刻1→電鍍Cu/Ni→去膠→腐蝕→介質制作→光刻2→腐蝕介質→去膠→濺射Ti/Cu→光 刻3→鍍Cu/Ni→鍍焊料→去膠→腐蝕Cu→腐蝕Ti→硅片回流→檢測凸點→劃片分割→成品。? 金凸點制作工藝流程: ? 清洗→濺射TiW/Au→厚膠光刻→掃膠→電鍍Au→去膠→清洗→腐蝕Au→腐蝕TiW→退火→檢測→成品。? 一般來說,凸點制備過程中,主要采用電鍍銅、鎳、金、錫鉛、錫銀等鍍種,一些特殊的凸點工藝還使用金錫、 錫、銀、銦、化學鍍鎳等鍍種。
發布時間: 2016 - 11 - 01
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—本文來自華林科納 網絡部摻雜的作用是制作N型或P型半導體區域,以構成各種器件結構。摻雜工藝的基本思想就是通過某種技術措施,將一定濃度的三價元素(如硼、銻)或五價元素(如磷、砷等)摻入半導體襯底,從而原材料的部分原子被雜質原子代替。摻雜工藝方法分為:熱擴散法和離子注入法。熱擴散是最早使用也是最簡單的摻雜工藝,它利用原子在高溫下的擴散運動,使雜質原子從濃度很高的雜質源向硅中擴散并形成一定的分布。熱擴散通常分兩個步驟進行:預淀積(預擴散)和主擴散(也稱推進)。預淀積是在高溫下利用諸如硼、磷等雜質源對硅片上的摻雜窗口進行擴散,在窗口處形成一層較薄但具有較高濃度的雜質層。主擴散是利用預淀積所形成的表面雜質層做雜質源,在高溫下將這層雜質向硅體內擴散的過程。通常推進的時間較長。 現分別列出不同擴散方式的步驟:CSD涂源擴散(硼源)CSD涂源擴散的步驟為:CSD涂源——CSD預淀積——后處理——基區氧化——基區再擴散(或者后兩步同時進行即基區氧化再擴散):1、硼源CSD涂覆:利用凃源機在硅片表面進行硼源涂覆,硼源選用硼源B 30,主要成份是B2O3,液態。涂源步驟為:1)清洗:硅片在2號清洗液中清洗,如果硅片較臟,還需要在煮沸的SH清洗液中浸泡清洗;2)涂覆:硅片旋轉速度約為2500轉/min,涂覆后硅片傳送到加熱板,溫度為(80±1)℃,加熱時間為20S;3)測試:硼源涂覆...
發布時間: 2016 - 09 - 20
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一、太陽能電池片工藝流程:  制絨(INTEX)---擴散(DIFF)---后清洗(刻邊/去PSG)---鍍減反射膜(PECVD)---絲網、燒結(PRINTER)---測試、分選(TESTER+SORTER)---包裝(PACKING)  二、我是做清洗的,今天主要跟大家分享一下清洗的工藝電池片制造過程中,有哪些步驟用到清洗呢?1,硅棒硅芯的清洗 ,需要用到硅棒硅芯清洗機 圖為華林科納硅棒清洗機2,制絨刻蝕--堿洗--酸洗     需要用到制絨腐蝕清洗機 圖為華林科納制絨腐蝕設備3,長時間擴散后需要對石英管進行清洗   需要石英管清洗機 圖為華林科納石英管清洗機下面講一講具體的步驟  (一)前清洗  1.RENA前清洗工序的目的:  (1) 去除硅片表面的機械損傷層(來自硅棒切割的物理損傷)  (2) 清除表面油污(利用HF)和金屬雜質(利用HCl)  (3)形成起伏不平的絨面,利用陷光原理,增加對太陽光的吸收,在某種程度上增加了PN結面積,提高短路電流(Isc),最終提高電池光電轉換效率。  2、前清洗工藝步驟: 制絨→堿洗 →酸洗→吹干  Etch bath:刻蝕槽,用于制絨。 所用溶液為HF+HNO3 ,作用:  (1).去除硅片表面的機械損傷層;  (2).形成無規則絨面。Alkaline Rinse:堿洗槽 。 所用溶液為KOH,...
發布時間: 2016 - 09 - 20
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太陽能因其可再生與清潔環保等特性被廣泛關注,太陽能電池片生產廠家也越來越多。太陽能電池工作原理是利用光電材料吸收光能后發生光電于轉換反應,根據所用材料的不同,太陽能電池可分為:硅基太陽能電池和薄膜電池,但由于其光能轉換效率的參差不齊,很多電池片廠家都在積極尋找新的高效電池材料及制作工藝,今天華林科納CSE的技術工程師也給大家講講硅基太陽能電池。一、硅太陽能電池1.硅太陽能電池工作原理與結構太陽能電池發電的原理主要是半導體的光電效應,一般的半導體主要結構如下:圖中,正電荷表示硅原子,負電荷表示圍繞在硅原子旁邊的四個電子。當硅晶體中摻入其他的雜質,如硼、磷等,當摻入硼時,硅晶體中就會存在著一個空穴,它的形成可以參照下圖:圖中,正電荷表示硅原子,負電荷表示圍繞在硅原子旁邊的四個電子。而黃色的表示摻入的硼原子,因為硼原子周圍只有3個電子,所以就會產生入圖所示的藍色的空穴,這個空穴因為沒有電子而變得很不穩定,容易吸收電子而中和,形成P(positive)型半導體。    同樣,摻入磷原子以后,因為磷原子有五個電子,所以就會有一個電子變得非常活躍,形成N(negative)型半導體。黃色的為磷原子核,紅色的為多余的電子。如下圖。 P型半導體中含有較多的空穴,而N型半導體中含有較多的電子,這樣,當P型和N型半導體結合在一起時,就會在接觸面形成電勢差,這就是...
發布時間: 2016 - 12 - 27
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