歡迎訪問南通華林科納半導體設備技術有限公司官網
手機網站

濕制程設備制造商


--- 全國服務熱線 --- 400-8768-096
 
 
 
新聞信息中心 新聞中心
400-8768-096
聯系電話
聯系我們
掃一掃
QQ客服
SKYPE客服
旺旺客服
新浪微博
分享到豆瓣
推薦產品 / 產品中心
發布時間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領域,濕法設備占據約40%以上的工藝,隨著工藝技術的不斷發展,濕法設備已經成為LED外延及芯片制造領域的關鍵設備,如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。南通華林科納CSE深入研究LED生產工藝,現已形成可滿足LED產業化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設備 設備名稱南通華林科納CSE-外延片清洗機設備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應用領域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術系統潔凈性技術均勻性技術晶圓片N2干燥技術模塊化系統集成技術自動傳輸及精確控制技術溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術主要技術特點系統結構緊湊、安全腔體獨立密封,具有多種功能可實現晶圓干進干出采用工控機控制,功能強大,操作簡便可根據用戶要求提供個性化解決方案設備制造商南通華林科納半導體設備有限公司 www.zgcxlmw.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(www.zgcxlmw.com),現在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體行業相關清洗設備解決方案。
發布時間: 2017 - 12 - 06
旋轉式噴鍍臺結合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規格和特殊應用要求等特點,在6" (150mm)晶圓電鍍系統中采用了傾斜式旋轉噴鍍技術傾斜式旋轉噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉單元、導線電刷、N2 保護單元組成的陰極回轉體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉噴鍍結構示意圖如下:從鍍制結構方式、鍍制工藝應用分析可以看出,采用傾斜式旋轉噴鍍有以下幾種優勢。一是這種結構方式易實現槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉運動使槽內電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射,實現攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結構方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產需求。傾斜旋轉噴鍍技術、工藝優勢斜式三角鍍槽結構本系統采用傾斜式三角形鍍槽結構,鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩定且不易積累氣泡的流場環境。通過進行相關模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結構,可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結構的另一優點可使電鍍液的用量減至最少程度。 南通華林科納CSE采用傾斜旋轉噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理,由于結構上的特點,該方法經實驗驗證具有:①結構簡單;②工藝參數控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應于小批量、多規格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉噴鍍系統,目前已批量生產并在工藝線上得到較好的應用,產品已通過技術定型鑒定和用戶驗收。實現的主要工藝指標:最大晶...
發布時間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機1. 應用范圍:l 本機臺適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規格l 機臺內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
發布時間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE南通華林科納半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數非常少(到25nm可對應)例:附著粒子數…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設備相關信息可以關注華林科納CSE官網(www.hlkncas.com),現在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
發布時間: 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(CDS)-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-CDS自動供酸系統 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式設備名稱南通華林科納CSE-CDS自動供酸系統設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統設備規格 1. 系統主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統;2. 操作模式: CDS 系統皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執行,兼具自動化與親和力。在自動模式情形...
發布時間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system南通華林科納CSE-自動單片式腐蝕清洗機應用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應用領域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領 域半導體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設備穩定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機)2、節約成本(藥液循環利用,消耗量遠低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結構,占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關設備可以關注南通華林科納半導體官網,關注http://www.zgcxlmw.com ,400-8768-096,18913575037
發布時間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-氫氟酸供液系統 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式 設備名稱南通華林科納CSE-氫氟酸(HF)供液系統設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統設備規格 1. 系統主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統;2. 操作模式: CDS 系統皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執行,兼具自動化與親和力。在...
新聞中心 新聞信息中心

第二課:四種常用的半導體硅片清洗設備及裝置

時間: 2018-09-04
點擊次數: 97

隨著集成電路制程工藝節點越來越先進,對實際制造的幾個環節也提出了新要求,清洗環節的重要性日益凸顯。


清洗的關鍵性則是由于隨著特征尺寸的不斷縮小,半導體對雜質含量越來越敏感,而半導體制造中不可避免會引入一些顆粒、有機物、金屬和氧化物等污染物。為了減少雜質對芯片良率的影響,實際生產中不僅僅需要提高單次的清洗效率,還需要在幾乎所有制程前后都頻繁的進行清洗,清洗步驟約占整體步驟的33%。


今天《半導體小課堂》帶大家細數一下,常用的四種半導體硅片清洗設備及裝置:


第二講:四種常用的半導體硅片清洗設備及裝置


1、浸入式濕法清洗槽


濕法化學清洗系統既可以是浸入式的又可以是旋轉式的。一般設備主要包括一組濕法化學清洗槽和相應的水槽,另外還可能配有甩干裝置。硅片放在一個清洗專用花籃中放人化學槽一段指定的時間,之后取出放人對應的水槽中沖洗。


對于清洗設備的設計來說,材料的選擇至關重要。使用時根據化學液的濃度、酸堿度、使用溫度等條件選擇相應的槽體材料。從材質上來說一般有NPP、PVDF、PrFE、石英玻璃等。例如:PVDF、IyIFE、石英玻璃等一般用在需加熱的強酸強堿清洗,其中石英玻璃不能用在HF清洗中,NPP一般用在常溫下的弱酸弱堿清洗。而常溫化學槽,一般為NPP材料。

第二講:四種常用的半導體硅片清洗設備及裝置

▲圖1 ?石英加熱槽


槽內溶液可加熱到180℃甚至更高,它一般由石英內槽、保溫層、塑料(PP)外槽組成。石英槽加熱可以通過粘貼加熱膜或者直接在石英玻璃上涂敷加熱材料實現。石英槽內需安裝溫度和液位傳感器,以實現對溫度的精確控制以及槽內液位的檢測,防止槽內液位過低造成加熱器干燒。


除此之外PVDF(PTEE)加熱槽也較為常用,這類加熱槽常用于HF溶液的清洗中。由于受到槽體材料的限制,這類加熱槽只能使用潛入式加熱,潛入式加熱器一般有盤管式和平板式兩種,加熱器外包覆PFA管。


2、兆聲清洗槽


RcA或者改進的RcA清洗配合兆聲能量是目前使用非常廣泛的清洗方法。在附加了兆聲能量后,可大幅降低溶液的使用溫度以及工藝時間,而清洗效果更加有效。常用兆聲清洗的頻率為800kHz—1 MHz,兆聲功率在100一600W。兆聲換能器有平板式、圓弧板式等形式。兆聲換能器可直接安裝于槽體底部;石英清洗槽則可以采用水浴的方式,兆聲換能器安裝于外槽底部,這樣可以避免清洗液對兆聲換能器的浸蝕。其結構如圖2所示。


第二講:四種常用的半導體硅片清洗設備及裝置

▲圖2 ?兆聲槽


兆聲換能器在工作過程中會在石英槽底部產生大量的氣泡。這些氣泡會大量吸收兆聲能量,大大降低了兆聲清洗的效果。因此內槽石英缸底部一般要有10-15度的傾斜角度,當有氣泡產生時,由于浮力的作用氣泡沿傾斜的石英槽底向上移動,脫離石英槽壁浮出水面,減少了氣泡對兆聲能量的損耗。


另外水浴外槽可根據不同的需要采用不銹鋼槽、石英槽等。圓弧板兆聲換能器由于其結構的特殊性,使其在兆聲能量的傳播方向、能量分布上更加合理,清洗效果更加顯著,一般情況下,圓弧板兆聲換能器只需要平板兆聲換能器使用減半的功率即可達到相同的清洗效果。


3、旋轉噴淋清洗


旋轉噴淋清洗是浸入型清洗的變型。系統中一般包括自動配液系統、清洗腔體、廢液回收系統。噴淋清洗在一個密封的工作腔內一次完成化學清洗、去離子水沖洗、旋轉甩干等過程,減少了在每一步清洗過程中由于人為操作因素造成的影響。在噴淋清洗中由于旋轉和噴淋的效果,使得硅片表面的溶液更加均勻,同時,接觸到硅片表面的溶液永遠是新鮮的,這樣就可以做到通過工藝時間設置,精確控制硅片的清洗腐蝕效果,實現很好的一致性。密封的工作腔可以隔絕化學液的揮發,減少溶液的損耗以及溶液蒸氣對人體和環境的危害。各系統分別貯于不同的化學試劑,在使用時到達噴口之前才混合,使其保持新鮮,以發揮最大的潛力,這樣在清洗時會反應最快。用N2噴時使液體通過很小的噴口,使其形成很細的霧狀,至硅片表面達到更好的清洗目的。


此方法適用于除去氧化膜或有機物。因為化學物質在硅片表面停留的時間比較短,對反應需要一定時間的清洗效果不好。在噴洗過程中所使用的化學試劑很少,對控制成本及環境保護有利。


4、刷洗器


刷洗器主要用于硅片拋光后的清洗,可有效地去除硅片正反兩面1μm以及更大的顆粒。主要配置包括專用刷洗器、優化的化學清洗液及超純水或者IPA。在水動力條件下,顆粒被旋轉的海綿狀刷子趕出,其結構如圖3所示。


第二講:四種常用的半導體硅片清洗設備及裝置

▲圖3 硅片刷洗裝置


一個典型的POST—CMP清洗裝置包括兩個刷洗箱和一個兆聲波清洗模塊。早期使用的尼龍毛刷易造成硅片的損傷,現在一般采用聚乙烯醇(PVA)毛刷,PVA毛刷配合去離子水,其結構如圖4所示。


第二講:四種常用的半導體硅片清洗設備及裝置

▲圖4 PVA材質刷洗器




延展閱讀

★華林科納公司簡介

★華林科納行業新聞

★華林科納產品中心

★華林科納人才招聘

★半導體小課堂


系統和芯片架構正在走向異構世界


Copyright ©2005 - 2013 南通華林科納半導體設備有限公司
犀牛云提供企業云服務
南通華林科納半導體設備有限公司
地址:中國江蘇南通如皋城南街道新桃路90號
電話: 400-876- 8096
傳真:0513-87733829
郵編:330520
Email:xzl1019@aliyun.com       www.zgcxlmw.com


X
3

SKYPE 設置

4

阿里旺旺設置

2

MSN設置

5

電話號碼管理

  • 400-8768-096
6

二維碼管理

8

郵箱管理

展開

友情链接1:

友情链接: