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發布時間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領域,濕法設備占據約40%以上的工藝,隨著工藝技術的不斷發展,濕法設備已經成為LED外延及芯片制造領域的關鍵設備,如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。南通華林科納CSE深入研究LED生產工藝,現已形成可滿足LED產業化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設備 設備名稱南通華林科納CSE-外延片清洗機設備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應用領域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術系統潔凈性技術均勻性技術晶圓片N2干燥技術模塊化系統集成技術自動傳輸及精確控制技術溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術主要技術特點系統結構緊湊、安全腔體獨立密封,具有多種功能可實現晶圓干進干出采用工控機控制,功能強大,操作簡便可根據用戶要求提供個性化解決方案設備制造商南通華林科納半導體設備有限公司 www.zgcxlmw.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(www.zgcxlmw.com),現在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體行業相關清洗設備解決方案。
發布時間: 2017 - 12 - 06
旋轉式噴鍍臺結合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規格和特殊應用要求等特點,在6" (150mm)晶圓電鍍系統中采用了傾斜式旋轉噴鍍技術傾斜式旋轉噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉單元、導線電刷、N2 保護單元組成的陰極回轉體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉噴鍍結構示意圖如下:從鍍制結構方式、鍍制工藝應用分析可以看出,采用傾斜式旋轉噴鍍有以下幾種優勢。一是這種結構方式易實現槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉運動使槽內電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射,實現攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結構方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產需求。傾斜旋轉噴鍍技術、工藝優勢斜式三角鍍槽結構本系統采用傾斜式三角形鍍槽結構,鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩定且不易積累氣泡的流場環境。通過進行相關模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結構,可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結構的另一優點可使電鍍液的用量減至最少程度。 南通華林科納CSE采用傾斜旋轉噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理,由于結構上的特點,該方法經實驗驗證具有:①結構簡單;②工藝參數控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應于小批量、多規格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉噴鍍系統,目前已批量生產并在工藝線上得到較好的應用,產品已通過技術定型鑒定和用戶驗收。實現的主要工藝指標:最大晶...
發布時間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機1. 應用范圍:l 本機臺適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規格l 機臺內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
發布時間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE南通華林科納半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數非常少(到25nm可對應)例:附著粒子數…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設備相關信息可以關注華林科納CSE官網(www.hlkncas.com),現在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
發布時間: 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(CDS)-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-CDS自動供酸系統 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式設備名稱南通華林科納CSE-CDS自動供酸系統設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統設備規格 1. 系統主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統;2. 操作模式: CDS 系統皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執行,兼具自動化與親和力。在自動模式情形...
發布時間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system南通華林科納CSE-自動單片式腐蝕清洗機應用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應用領域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領 域半導體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設備穩定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機)2、節約成本(藥液循環利用,消耗量遠低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結構,占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關設備可以關注南通華林科納半導體官網,關注http://www.zgcxlmw.com ,400-8768-096,18913575037
發布時間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-氫氟酸供液系統 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式 設備名稱南通華林科納CSE-氫氟酸(HF)供液系統設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統設備規格 1. 系統主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統;2. 操作模式: CDS 系統皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執行,兼具自動化與親和力。在...
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第三課:半導體晶圓自動清洗設備的主要部件的設計

時間: 2018-09-05
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上一期給大家講解了關于半導體硅片清洗設備及裝置,接下來我相信大家也很想了解一下關于,半導體晶圓自動清洗設備的主要部件的設計:

晶圓清洗主要去除吸附在晶圓表面的各種雜質粒子,如微粒、有機物、無機金屬離子等,使晶圓的表面潔凈度達到 ULSI 工藝要求。 濕法晶圓清洗的原理是使用各種化學藥液與晶圓表面各種雜質粒子發生化學反應,生成溶于水的物質,再用高純水沖洗,依次去除晶圓表面各雜質。

第三課:半導體晶圓自動清洗設備的主要部件的設計

一、加熱酸槽設計

在半導體清洗工藝中,有些化學試劑在處理晶圓時,對溫度有要求,通常,需要進行加熱,如SC1SC2 在 RAC 清洗工藝中就要求溫度在 70~80?℃ 。我們在選擇這些加熱酸槽材質時,一般選用石英材質。

加熱酸槽一般由石英槽體、加熱器、液位保護裝置、溫度檢測裝置、排放裝置及電氣控制裝置等主要部分組成。

第三課:半導體晶圓自動清洗設備的主要部件的設計

由于我們所設計的加熱器是內置投放式,故對所選加熱器的要求比較高,不僅能耐酸,而且還要求能耐高溫。 我們所選加熱器所有的加熱絲及其導線都是用 PFA 包裹起來的, 而且外包的 PFA 材質十分潔凈,不會對酸液有所污染。 加熱器的加熱功率根據槽體的容積選取。

由于加熱器是置于槽體底部,所以,液位保護裝置優為重要。 液位保護裝置主要用于檢測石英槽內是否有酸液,防止加熱器在沒有酸液的情況下工作而發生危險。 溫度檢測裝置主要用于檢測石英槽內酸液的溫度, 將檢測的溫度信號反饋給溫度器,由溫控器實現溫度控制。 對于廢酸的排放,基本有兩種不同方式。 可由底部氣動閥門控制,或者由射流器稀釋排放。

二、QDR設計

QDR(Quick Dump Rinser),即快排快沖槽,主要用于去除晶圓表面微粒雜質和殘留化學藥液,使晶圓表面潔凈。QDR 是晶圓濕法清洗中最重要的一個清洗工藝模塊,是清洗工藝中不可缺少的一道工藝,直接影響到晶圓的最終清洗效果。

QDR 由內外槽、上噴淋管路、下噴淋管路、快速排放閥及控制部分組成。

上噴淋管路共有兩路, 形成相互交叉噴淋,但去離子水不宜直接噴淋沖洗晶圓表面,因晶圓在水蝕作用下直接噴淋晶圓表面,易產生微粒污泥而污染晶圓表面,因此,在去離子水的噴淋過程中,需要對沖洗水壓、水量、方向和角度作出調整測試,以達到微粒污染少的最佳效果。 良好的噴嘴所噴淋范圍涵蓋全部晶圓及片盒; 而不良的噴淋沖洗形狀,沒有涵蓋全部晶圓及片盒, 未被噴淋沖洗的死角地帶,微粒、雜質及化學藥液殘留含量仍然很高,而達不到良好的清洗效果。

上噴淋同時, 下噴淋管路由底部兩側不斷進水,而后由內槽上沿四周溢出,這樣,每個晶圓片縫、各處邊角的去離子水都能連續得到更新。 同時,純凈氮氣由下噴淋管路進入槽體。 氮氣鼓泡有以下幾個作用:(1)增加了去離子水的沖刷力,對槽體本身有很好的自清洗作用;(2)晶圓在水流中顫動,氣泡不能沾附其上,提高了沖洗效果;(3)減少去離子水中的含氧量,避免在晶圓表面生成氧化物。

第三課:半導體晶圓自動清洗設備的主要部件的設計

QDR 噴淋注滿水時間和排水時間,對晶圓清洗質量有很大影響。 因晶圓表面暴露在空氣中會接觸空氣中的氧分子或水汽,在常溫下,即會生長一層很薄的氧化層(約為 0.5~1 nm),這層自然氧化物的厚度與暴露在空氣中的時間長短有關, 因此,噴淋注滿水時間越長,晶圓暴露在空氣中的時間就會越長,因而形成的氧化層也越厚,這對晶圓清洗,是很不利的。 QDR 排水的時間越短,排水流速就會越大, 有利于去離子水帶走晶圓表面上的微粒雜質。因此,在 QDR 設計中,要盡可能的縮短噴淋注滿水時間和排水時間,實現快沖快排,整體效率也會得到提高。

三、傳動系統設計

傳動系統是全自動清洗機區別手動清洗機最核心的部分,由該系統在電氣系統控制下實現了晶圓工藝清洗的自動化。 傳動系統的性能直接決定了全自動清洗機整體工作效率及工作的穩定性、可靠性等方面。

傳動系統由 x 向和 y 向組成,通過 PLC 程序控制,方便靈活地實現了 x 向和 y 向的運動。

第三課:半導體晶圓自動清洗設備的主要部件的設計

x 向是由伺服電機、減速器、LM 直線導軌、齒輪齒條及連接塊等部分組成的。 它由伺服電機驅動,通過減速器,齒輪齒條、連接塊傳動來實現機械臂連同機械手整體 x 向的運動;該方向運動用于將片盒準確地移至各個清洗工位定位處。 在 x 向裝有一個原點近接開關,以檢測確定機械臂在 x 向的起始位置點,左右兩側分別裝有限位近接開關,以防止機械臂與本體相碰,發生危險。

y 向由機械手、機械臂、伺服驅動系統及連接塊等部分組成。機械手是用于片盒的提取,它通過 x、y兩個方向的聯合運動來實現的。 機械臂是用于實現機械手的上下運動,它由伺服電機、圓軸絲杠、導向裝置、高剛性框架集成一體而成。 伺服驅動系統與PLC 一起控制 y 向的運動。 在 y 向裝有一個原點近接開關, 以檢測確定機械臂在 y 向的起始位置點,在其上下兩側分別裝有限位近接開關,以防止機械臂與本體相碰,發生危險。

傳動系統各方面性能對保證整臺設備的穩定性和可靠性至關重要。 主要由以下幾個(1)運動的穩定性;(2)運動的精確性;(3)傳動結構的剛性;(4)運動速度及運動的平穩性。

四、電氣控制系統設計

電氣控制系統是整個設備的重要部分,統籌安排傳動系統在各個清洗槽的運動時序,控制閥門以及清洗工藝模塊的工作狀態。 它直接關系到設備的正常使用、維護及其生產效率。 整套控制系統以一臺 PLC(可編程序控制器)C2OOHG 為核心,觸摸屏作為人機界面,交流伺服系統作為晶圓移位的執行機構。

第三課:半導體晶圓自動清洗設備的主要部件的設計

1、電氣控制系統的構成

包括控制箱及傳感器, 電磁閥等。 控制箱為立式,裝于設備本體左側,為密閉式,防止酸霧腐蝕電器元件。 控制箱箱內裝有電源開關,伺服控制系統,PLC 及接線端子等。 在控制箱的正面裝有控制面板;控制面板上面裝有操作開關,蜂鳴器,指示燈及觸摸屏,溫控器等。

2.、程序控制

本設備通過 PLC、觸摸屏、伺服模塊程序的有效結合實現傳動系統的傳片工作,手動/自動操作方式可以切換。 觸摸屏上有手動操作面板,可以實現相應手動操作。 各清洗槽工藝時間可以在觸摸屏中設置。 系統可以編譯并存儲多條工藝程序,用戶可以根據需要進行修改。

3、安全裝置

本設備具有聲光報警功能。 當有故障時,設備報警,觸摸屏上顯示出錯信息,這時按下急停按鈕,所有動作停止。 排除故障后,按下復位按鈕,可恢復初始狀態; 設備前部裝有透明有機玻璃推拉門,防止酸液濺出。



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