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發布時間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領域,濕法設備占據約40%以上的工藝,隨著工藝技術的不斷發展,濕法設備已經成為LED外延及芯片制造領域的關鍵設備,如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。南通華林科納CSE深入研究LED生產工藝,現已形成可滿足LED產業化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設備 設備名稱南通華林科納CSE-外延片清洗機設備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應用領域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術系統潔凈性技術均勻性技術晶圓片N2干燥技術模塊化系統集成技術自動傳輸及精確控制技術溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術主要技術特點系統結構緊湊、安全腔體獨立密封,具有多種功能可實現晶圓干進干出采用工控機控制,功能強大,操作簡便可根據用戶要求提供個性化解決方案設備制造商南通華林科納半導體設備有限公司 www.zgcxlmw.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(www.zgcxlmw.com),現在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體行業相關清洗設備解決方案。
發布時間: 2017 - 12 - 06
旋轉式噴鍍臺結合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規格和特殊應用要求等特點,在6" (150mm)晶圓電鍍系統中采用了傾斜式旋轉噴鍍技術傾斜式旋轉噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉單元、導線電刷、N2 保護單元組成的陰極回轉體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉噴鍍結構示意圖如下:從鍍制結構方式、鍍制工藝應用分析可以看出,采用傾斜式旋轉噴鍍有以下幾種優勢。一是這種結構方式易實現槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉運動使槽內電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射,實現攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結構方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產需求。傾斜旋轉噴鍍技術、工藝優勢斜式三角鍍槽結構本系統采用傾斜式三角形鍍槽結構,鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩定且不易積累氣泡的流場環境。通過進行相關模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結構,可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結構的另一優點可使電鍍液的用量減至最少程度。 南通華林科納CSE采用傾斜旋轉噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理,由于結構上的特點,該方法經實驗驗證具有:①結構簡單;②工藝參數控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應于小批量、多規格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉噴鍍系統,目前已批量生產并在工藝線上得到較好的應用,產品已通過技術定型鑒定和用戶驗收。實現的主要工藝指標:最大晶...
發布時間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機1. 應用范圍:l 本機臺適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規格l 機臺內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
發布時間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE南通華林科納半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數非常少(到25nm可對應)例:附著粒子數…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設備相關信息可以關注華林科納CSE官網(www.hlkncas.com),現在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
發布時間: 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(CDS)-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-CDS自動供酸系統 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式設備名稱南通華林科納CSE-CDS自動供酸系統設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統設備規格 1. 系統主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統;2. 操作模式: CDS 系統皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執行,兼具自動化與親和力。在自動模式情形...
發布時間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system南通華林科納CSE-自動單片式腐蝕清洗機應用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應用領域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領 域半導體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設備穩定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機)2、節約成本(藥液循環利用,消耗量遠低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結構,占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關設備可以關注南通華林科納半導體官網,關注http://www.zgcxlmw.com ,400-8768-096,18913575037
發布時間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-氫氟酸供液系統 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式 設備名稱南通華林科納CSE-氫氟酸(HF)供液系統設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統設備規格 1. 系統主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統;2. 操作模式: CDS 系統皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執行,兼具自動化與親和力。在...
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第四課:詳解濕法刻蝕與清洗的基本藥液

時間: 2018-09-13
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大家知道濕法刻蝕中清洗時所需的基本藥液有哪幾種嗎?

首先是刻蝕液,刻蝕液主要有磷酸、氫氟酸、緩沖刻蝕劑(BOE)、鋁刻蝕劑(M2)、硝酸等。

1、磷酸刻蝕液

磷酸刻蝕液由純磷酸和去離子水組成, 工作溫度為 160攝氏度。 主要功能是用來刻蝕氮化硅膜及其下面的氧化膜。其對氮化硅膜的刻蝕速率是55A/Min,對氧化膜的刻蝕速率是1.7-10A/Min。 該刻蝕液的反應速率主要取決于反應溫度和溶液中水的含量。

其反應機理如下:

Si3N4?+ 6H2O -----> 3SiO2 + 4NH3(需要用 H3PO4作催化劑)

晶圓在磷酸刻蝕液反應槽里反應后必須被傳送到熱的去離子水槽里進行清洗,否則易受到熱應力的破壞而造成破片。

2、氫氟酸刻蝕液

氫氟酸刻蝕液主要用來刻蝕氧化膜。根據濃度不同可分為CHF、 LHF、 DHF等。CHF 是濃度為 49%的氫氟酸刻蝕液, 主要用來刻蝕Poly以及氮化物, 其反應速度很快,很難用其來刻蝕掉特定的厚度,因此只能用在過刻蝕的情況。 LHF 是 CHF用水稀釋后的產物,其中氫氟和水的比例為50:1。該刻蝕液刻蝕速度穩定, 晶圓生產上常用其刻蝕特定厚度的氧化膜。 DHF 是 LHF 進一步稀釋后的產物, 其中氫氟酸和水的比例為 100:1。由于其濃度較低,所以其刻蝕速率很低,主要用來刻蝕晶圓表面的自然氧化膜。

3、緩沖刻蝕劑

緩沖刻蝕劑又叫作 BOE(全稱 Buffered Oxide Etch),是NH4F和 HF 以及表面活化劑的混合物, 主要用來刻蝕晶圓上深槽里的氧化膜。 根據 NH4F 和HF 濃度比例的不同可分為MB、 LB、 DB。 MB 里NH4F 與 HF的比例是 10:1, LB 里 NH4F 與 HF的比例是130:1, DB里 NH4F 與HF 的比例是 200:1。

緩沖刻蝕劑與SiO2氧化膜的反應機理為:

SiO2?+ 2HF2- + 2H3O+ ?SiF4?+ 4H2O

SiF4?+ 2HF? H2SiF6

SiF4?+ 2NH4F? (NH4)2SiF6

4、鋁刻蝕劑

鋁刻蝕劑即 M2,是磷酸、硝酸和醋酸的混合物,它們的比例為70:2:12。其反應溫度為 75攝氏度, 主要用在鈷制程選擇性的刻蝕過程中。 其中,硝酸作為氧化劑,將AL生成AL2O3, 磷酸再將AL2O3生成AL(OH)3

接著是清洗液,濕法清洗所用的清洗液主要有硫酸清洗液、 SC1清洗液、 SC2 清洗液等。

1、硫酸清洗液

硫酸清洗劑是硫酸和雙氧水的混合物, 其濃度比為 5:1, 反應溫度為 125 攝氏度。其功能是去除晶圓表面的光阻殘留物或有機物。反應機理是:

H2SO4?+ H2O2----->HO-(SO2)-O-OH + H2O

HO-(SO2)-O-OH + -(CH2)n -----> CO2?+ H2

2、SC1清洗液

SC1 清洗液是氨水、 雙氧水以及水的混合物, 三者體積比例為1:2:50。 其反應溫度為 25攝氏度,功能是去除晶圓上的微粒雜質以及聚合物。清洗機理是氧化和電性排斥,如圖1所示。

第四課:濕法刻蝕與清洗所需的物質

▲圖1 SC1清洗原理圖

3、SC2清洗液

SC2 清洗液是鹽酸、雙氧水和水的混合物,三者的體積比例為1:1:50。 SC2清洗液的主要功能是清除晶片上的金屬離子。其清洗機理是其能提供一個低 PH值的環境,堿性的金屬離子,金屬氫化物將能溶于SC2 清洗液里。

由于 SC1 呈堿性, 所以在 SC1 清洗液里, 較易發生金屬附著現象。 而在 SC2 呈酸性, 故在 SC2溶液里不容易產生這種現象, 并且后者比較容易清除晶圓外表的金屬。而且雖然 SC1清洗液能去除 Cu 等金屬,卻很難去除晶片表面的自然氧化膜附著 。

SC2 擁有非常強的氧化能力和絡合能力, 能與氧以前的任何金屬物質反應生成能很容易被誰清洗掉的鹽離子。同時氧化后的金屬離子可與氯離子反用產生一種可溶性的絡合物并能被去離子水去除[15]。 SC2清洗的相關化學方程式如下:

Si+H2O2-->SiO2+H2O?????????Zn+HCl-->ZnCl2+H2

Fe+HCl-->FeCl2+H2? ? ? ? ? ??Mg+HCl-->MgCl2+H2

然后是去離子水

在晶圓生產中, 晶圓在酸槽里清洗完后, 都要先進入水槽里清洗, 然后才能進入下一酸槽進行再清洗。 水槽里的水必須要求是去離子水。 為了更好的清洗雜質, 去離子水中往往要加入超聲波。 同時水槽溫度也分常溫和高溫兩種, 水槽排水方式也有快速下排和上部溢水兩種方式。

最后就是異丙醇

異丙醇( IPA)是一種碳三脂肪族單元醇, 是重要的溶劑。 異丙醇可作為溶劑和清洗去除劑。 異丙醇作為清洗去除劑, 分好多級別。 其中在中、 大規模的集成電路的生產工藝及分立器件的生產工藝中常常使用 MOS 級的異丙醇,而在一些超大規模集成電路生產工藝中常常使用的是BV-III級的異丙醇。

在濕法刻蝕和清洗工藝中, 異丙醇主要用在晶片清洗機的干燥系統里。 晶片被自動傳到清洗機的干燥系統后, 先要被浸入干燥系統的水槽里。 水槽里裝有流動的去離子水,該去離子水能把晶片上的被清洗后仍殘留的少許雜質沖洗去除到。之后水槽里的水會被排走,然后干燥系統會輸出大量的霧化的高溫異丙醇。這些異丙醇能把晶片上的水分置換出去。然后干燥系統會輸入大量的高溫氮氣,這些氮氣會將異丙醇排除干燥系統內部,從而達到清洗并干燥晶片的效果。



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