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發布時間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領域,濕法設備占據約40%以上的工藝,隨著工藝技術的不斷發展,濕法設備已經成為LED外延及芯片制造領域的關鍵設備,如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。南通華林科納CSE深入研究LED生產工藝,現已形成可滿足LED產業化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設備 設備名稱南通華林科納CSE-外延片清洗機設備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應用領域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術系統潔凈性技術均勻性技術晶圓片N2干燥技術模塊化系統集成技術自動傳輸及精確控制技術溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術主要技術特點系統結構緊湊、安全腔體獨立密封,具有多種功能可實現晶圓干進干出采用工控機控制,功能強大,操作簡便可根據用戶要求提供個性化解決方案設備制造商南通華林科納半導體設備有限公司 www.zgcxlmw.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(www.zgcxlmw.com),現在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體行業相關清洗設備解決方案。
發布時間: 2017 - 12 - 06
旋轉式噴鍍臺結合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規格和特殊應用要求等特點,在6" (150mm)晶圓電鍍系統中采用了傾斜式旋轉噴鍍技術傾斜式旋轉噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉單元、導線電刷、N2 保護單元組成的陰極回轉體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉噴鍍結構示意圖如下:從鍍制結構方式、鍍制工藝應用分析可以看出,采用傾斜式旋轉噴鍍有以下幾種優勢。一是這種結構方式易實現槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉運動使槽內電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射,實現攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結構方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產需求。傾斜旋轉噴鍍技術、工藝優勢斜式三角鍍槽結構本系統采用傾斜式三角形鍍槽結構,鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩定且不易積累氣泡的流場環境。通過進行相關模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結構,可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結構的另一優點可使電鍍液的用量減至最少程度。 南通華林科納CSE采用傾斜旋轉噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理,由于結構上的特點,該方法經實驗驗證具有:①結構簡單;②工藝參數控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應于小批量、多規格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉噴鍍系統,目前已批量生產并在工藝線上得到較好的應用,產品已通過技術定型鑒定和用戶驗收。實現的主要工藝指標:最大晶...
發布時間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機1. 應用范圍:l 本機臺適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規格l 機臺內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
發布時間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE南通華林科納半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數非常少(到25nm可對應)例:附著粒子數…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設備相關信息可以關注華林科納CSE官網(www.hlkncas.com),現在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
發布時間: 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(CDS)-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-CDS自動供酸系統 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式設備名稱南通華林科納CSE-CDS自動供酸系統設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統設備規格 1. 系統主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統;2. 操作模式: CDS 系統皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執行,兼具自動化與親和力。在自動模式情形...
發布時間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system南通華林科納CSE-自動單片式腐蝕清洗機應用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應用領域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領 域半導體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設備穩定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機)2、節約成本(藥液循環利用,消耗量遠低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結構,占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關設備可以關注南通華林科納半導體官網,關注http://www.zgcxlmw.com ,400-8768-096,18913575037
發布時間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-氫氟酸供液系統 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式 設備名稱南通華林科納CSE-氫氟酸(HF)供液系統設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統設備規格 1. 系統主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統;2. 操作模式: CDS 系統皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執行,兼具自動化與親和力。在...
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第五課:詳解刻蝕清洗機的結構和工作原理

時間: 2018-09-13
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上一期給大家講解了濕法刻蝕與清洗的基本藥液,那濕法刻蝕清洗機的結構和工作原理是什么?今天就帶大家瞧一瞧。

1、刻蝕清洗設備分類

濕法刻蝕清洗機按清洗的結構方式可以分為槽式批量清洗和單片清洗機兩種類型。而槽式清洗又可分為半自動清洗和全自動清洗兩種機臺。

2、 清洗設備結構組成

清洗設備主要由耐腐蝕機架、 酸槽、 水槽、 干燥槽、 控制單元、 排風單元以及氣體和液體管路單元等幾大部分構成。其中酸槽和管路單元是清洗設備的主要組成部分。 按照材料的差異, 槽體可分為用不銹鋼材質的生產的槽、 用NPP 材質生產的抗腐蝕的槽、 用PVDF材質生產的槽、 用PTFE材質生產的槽、 用石英材質生產的槽等, 按照功能的差異槽體又可分為酸堿刻蝕槽、 溢流清洗槽、 快速排水槽和使晶圓快速干燥的干燥槽等, 根據清洗工藝要求的不同, 還可以增加腐蝕液的超聲及兆聲清洗、 腐蝕液加熱或制冷、攪拌、 循環及去離子水加熱等清洗功能。

第五課:詳解刻蝕清洗機的結構和工作原理

濕法刻蝕清洗機的組成部分

在材料選擇上, 不銹鋼槽主要用于有機溶液或堿性溶液; 而石英加熱槽主要用于酸性溶液, 而且該槽耐高溫, 一般為二百攝氏度, 最高可以達到四百攝氏度;高純度聚丙烯槽主要用于溫度小于八十攝氏度的酸堿溶液;聚氟乙烯槽常常用來承裝 BOE 以及氫氟酸, 要求溫度最高不能高于一百二十攝氏度。 聚四氟乙烯槽可用于幾乎所有的酸堿以及有機溶液,其耐溫小于150攝氏度。

在功能選擇上, QDR槽即快速排水清洗槽常常使用在酸堿刻蝕后對去離子水的沖洗工藝上。 其工作原理是先從該槽體上部噴淋以及底部注入去離子水, 等到一定量后在把去離子水快速排空。 通過把去離子水快速排走帶走雜質離子。 這一過程一般要反復 進行 3-4 個循環。其工作原理如圖1所示。

第四課:濕法刻蝕與清洗所需的物質

▲ 圖1 QDR槽清洗原理圖

超聲槽是指利用槽體底部或側面超聲發出振板產生超聲波,超聲波,超聲波在水中或溶液中生成大量的氣泡, 氣泡破裂釋放強大的動能。 超聲波的頻率通常為28kHz 或 48kHz。頻率越高,清洗的顆粒越小。工藝腐蝕槽是指利用各類酸堿刻蝕液以及有機溶液,實現某些刻蝕過程或清洗的效果。

溢流槽的工作原理為底部持續注入去離子水,從上部四周外溢,從而通過水流帶走污染物。其工作原理如圖2所示。

第四課:濕法刻蝕與清洗所需的物質

▲ 圖2?溢流槽工作原理圖




3、清洗設備干燥方式

通過去離子水清洗后, 需要在最短的時間里把晶圓表面的水分去除, 而且去除后晶圓的外表不要有任何水痕, 否則會降低晶圓的良率。 半導體生產上常采用以下幾種干燥方式:旋轉甩干、熱氮氣烘干、異丙醇慢提拉干燥及 Marangoni。

a.旋轉甩干:目前對晶圓的清洗以及脫水處理方式主要有旋轉沖洗、離心甩干和氮氣烘干三種工藝,該工藝主要用于在潔凈度上要求很高的晶圓的沖洗干燥, 這種工藝雖然簡單, 但清洗甩干效果好, 所以從發明帶現在的幾十年里一直被廣泛使用。這種工藝的最重要的地方有以下幾點:一邊使晶圓轉動一邊清洗,然后快速旋轉而甩干, 同時加入熱的氮氣促使晶圓烘干流程, 該甩干工藝原理見圖3。

第四課:濕法刻蝕與清洗所需的物質

▲ 圖3 旋轉沖洗甩干機工作原理圖

b. 熱氮氣烘干方式:熱氮氣烘干槽采用了桶狀的加熱槽結構,氮氣通過在線加熱器加熱后從槽體頂部周邊噴淋下來,在槽體底部安裝有可以調節的排水以及排氣的結構。其工作原理見圖4。

第四課:濕法刻蝕與清洗所需的物質

▲?圖4 熱N2 烘干槽工作原理圖

c. IPA 慢提拉干燥方式:其利用了水易于溶于IPA 溶液的特點,先要把晶圓放在異丙醇中使晶圓進行預脫水,預脫水后再將其放入裝有 IPA溶液的槽體底部, 該槽體底部帶有一個加熱裝置, 而且該加熱裝置是可控制的, 它可將液體的異丙醇加熱成熱的異丙醇蒸汽。 在槽體的上部安裝有冷凝管, 它可使揮發的異丙醇氣體冷卻成液體的異丙醇, 從而實現對異丙醇的循環利用; 并且在此槽體里裝有緩慢上升的機械裝置,可將硅片緩慢提升到熱的IPA 蒸汽里并使硅片干燥。其工作原理如圖5所示。

第四課:濕法刻蝕與清洗所需的物質

▲ 圖5 IPA慢提拉干燥原理圖

d. Marangoni dryers干燥:該干燥方式利用了硅片表面張力的梯度變化原理, 達到使晶圓干燥的目的。 先用流動的去離子水在晶圓外表面產生很薄的一層水膜,之后再通入大量的異丙醇氣體把晶圓上的水層去掉,從而使硅片干燥。這種工藝重中之重是要控制去離子水層和異丙醇氣體層在硅片表面移動的快慢。工作原理如圖6所示。 目前半導體工廠里常用的移動速度是 1--1.5mm/s,現在還有一種好的方法是增加去離子水兆省噴頭并且控制移動速度在0.3--2.5mm/s.這種方式一般用于高端的單片腐蝕清洗上。

第四課:濕法刻蝕與清洗所需的物質

▲ 圖6 Marangoni dryers干燥原理圖

目前, 由于清洗效率、 清洗工藝和操作工安全健康等因素的考慮, 半導體工廠里越來越多的使用全自動清洗設備。這種系統將以上所提及的清洗技術有機的集成在一個封閉的機臺里,利用自動機器手臂在各酸槽以及水槽和干燥槽之間進行晶舟的傳遞并協助清洗以及干燥等過程。 最近幾年來, 由于集成電路關鍵尺寸的不斷縮小和對硅片背面保護的需要,業界研發了一種用不同酸液一邊噴淋清洗旋轉著的硅片的單片清洗技術。因為清洗硅片往往需要多種酸堿刻蝕液以及清洗液共同作用, 如果只使用單腔單層的清洗方式和清洗工藝, 那么各種溶液就會相互融合而不能回收再使用, 從而增加了半導體生產工廠的使用成本, 后來的單片清洗機臺已升級為單腔多層的機臺類型。該腔體結構示意圖如圖7所示。

第四課:濕法刻蝕與清洗所需的物質

▲ 圖7 單腔多層腔體結構示意圖

有多種溶液在一個反應腔里相繼進行腐蝕清洗工作。該設備里配有承接晶片的承片臺, 它載著硅片變換不同的高度。 在不同高度處, 會有不同的溶液噴到正在旋轉的晶片表面,完成特定的功能后按不同的溶液回收到不同的回收區域,酸液即可被循環使用。



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