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發布時間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領域,濕法設備占據約40%以上的工藝,隨著工藝技術的不斷發展,濕法設備已經成為LED外延及芯片制造領域的關鍵設備,如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。南通華林科納CSE深入研究LED生產工藝,現已形成可滿足LED產業化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設備 設備名稱南通華林科納CSE-外延片清洗機設備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應用領域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術系統潔凈性技術均勻性技術晶圓片N2干燥技術模塊化系統集成技術自動傳輸及精確控制技術溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術主要技術特點系統結構緊湊、安全腔體獨立密封,具有多種功能可實現晶圓干進干出采用工控機控制,功能強大,操作簡便可根據用戶要求提供個性化解決方案設備制造商南通華林科納半導體設備有限公司 www.zgcxlmw.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(www.zgcxlmw.com),現在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體行業相關清洗設備解決方案。
發布時間: 2017 - 12 - 06
旋轉式噴鍍臺結合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規格和特殊應用要求等特點,在6" (150mm)晶圓電鍍系統中采用了傾斜式旋轉噴鍍技術傾斜式旋轉噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉單元、導線電刷、N2 保護單元組成的陰極回轉體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉噴鍍結構示意圖如下:從鍍制結構方式、鍍制工藝應用分析可以看出,采用傾斜式旋轉噴鍍有以下幾種優勢。一是這種結構方式易實現槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉運動使槽內電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射,實現攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結構方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產需求。傾斜旋轉噴鍍技術、工藝優勢斜式三角鍍槽結構本系統采用傾斜式三角形鍍槽結構,鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩定且不易積累氣泡的流場環境。通過進行相關模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結構,可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結構的另一優點可使電鍍液的用量減至最少程度。 南通華林科納CSE采用傾斜旋轉噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理,由于結構上的特點,該方法經實驗驗證具有:①結構簡單;②工藝參數控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應于小批量、多規格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉噴鍍系統,目前已批量生產并在工藝線上得到較好的應用,產品已通過技術定型鑒定和用戶驗收。實現的主要工藝指標:最大晶...
發布時間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機1. 應用范圍:l 本機臺適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規格l 機臺內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
發布時間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE南通華林科納半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數非常少(到25nm可對應)例:附著粒子數…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設備相關信息可以關注華林科納CSE官網(www.hlkncas.com),現在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
發布時間: 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(CDS)-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-CDS自動供酸系統 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式設備名稱南通華林科納CSE-CDS自動供酸系統設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統設備規格 1. 系統主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統;2. 操作模式: CDS 系統皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執行,兼具自動化與親和力。在自動模式情形...
發布時間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system南通華林科納CSE-自動單片式腐蝕清洗機應用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應用領域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領 域半導體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設備穩定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機)2、節約成本(藥液循環利用,消耗量遠低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結構,占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關設備可以關注南通華林科納半導體官網,關注http://www.zgcxlmw.com ,400-8768-096,18913575037
發布時間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-氫氟酸供液系統 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式 設備名稱南通華林科納CSE-氫氟酸(HF)供液系統設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統設備規格 1. 系統主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統;2. 操作模式: CDS 系統皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執行,兼具自動化與親和力。在...
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第七課:硅片的超聲和兆聲清洗技術

時間: 2018-09-27
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隨著科學技術的飛速發展,集成度不斷提高,器件尺寸不斷減小,對硅拋光片的表面質量要求越來越嚴格。清洗是半導體器件制造過程中最重要的步驟。

1、硅片的清洗工藝原理

硅片經過切片、倒角、雙面研磨、拋光等不同的工序加 工后,其表面已受到嚴重沾污,清洗的目的主要是清除晶片表面的沾污。硅片表面的污染物通常以原子、離子、分子、 粒子或膜的形式以物理吸附或化學吸附的方式存在于硅片表面。有以下兩種清洗方式:

超聲波是通過蒸氣漩渦來輔助沖洗的。振動在液體中形 成極微小的氣泡而這些氣泡快速地崩潰而產生極微小的擦 洗的動作從而除去顆粒。這一現象稱為氣渦。圖1為超聲清洗效果。

第七課:硅片的超聲和兆聲清洗技術

▲?圖1 超聲清洗效果

兆聲波的輔助作用是通過另外一種機理來實現的。依據流體力學,固體表面與液體之間有一個靜止或緩慢移動的界面,例如晶片的表面。小的顆粒可被保持在這層界面中而不會接觸化學清洗液。兆聲波的能量可以消除這一界面,從而 使顆粒得以清洗。另外,一種叫做聲流的現象使得水或清洗 液流過晶片的速度加快,從而提高清洗效率。圖2為兆聲清 洗效果。

第七課:硅片的超聲和兆聲清洗技術

▲?圖2 兆聲清洗效果

2、超聲清洗技術

超聲清洗屬物理清洗,把清洗液放入槽內,在槽內作用 超聲波。由于超聲波與聲波一樣是一種疏密的振動波,在傳 播過程中,介質的壓力作交替變化。在負壓區域,液體中產 生撕裂的力,并形成真空的氣泡。當聲壓達到一定值時,氣 泡迅速增長,在正壓區域氣泡由于受到壓力擠破滅、閉合。 此時,液體間相互碰撞產生強大的沖擊波。雖然位移、速度 都非常小,但加速度卻非常大,局部壓力可達幾千個大氣壓,這就是所謂的空化效應。

超聲清洗的原理是:在強烈的超聲波作用下(常用的超 聲波頻率為20 kHz到40kHz左右),液體內部會產生疏部 和密部,疏部產生近乎真空的空腔泡,當空腔泡消失的瞬間, 其附近便產生強大的局部壓力,使分子內的化學鍵斷裂,因 此使硅片表面的雜質解吸。當超聲波的頻率和空腔泡的振動 頻率共振時,機械作用力達到最大,泡內聚集的大量熱能, 使溫度升高,促進化學反應的發生。圖3為超聲清洗示意圖。

第七課:硅片的超聲和兆聲清洗技術

?圖3 超聲清洗示意圖

超聲清洗主要由超聲空化引起,空化效應是主要因素。 氣泡的爆破產生的高壓高溫沖擊波減小了污垢與被清洗件 之間的粘著力,引起污垢的破壞和離;同時氣泡的振動能對 被清洗物表面進行擦洗,氣泡還能鉆入裂縫中振動,使污層 脫落。當某些固體表面被油粘附時,油被超聲波乳化,迅速 脫離被清洗件表面。超聲空化在被清洗件表面會產生很高的 速度梯度和聲流,能進一步削弱或除去邊界層污染,同時超 聲振動還會引起介質質點的強烈振動,使被清洗件表面受到 強烈的沖擊,使污物迅速脫離表面。

超聲清洗的效果與超聲條件(如溫度、壓力、超聲頻率、 功率等)有關,而且提高超聲波功率往往有利于清洗效果的 提高。該技術多用于去除硅片表面附著的大塊污染和顆粒, 但隨著粒子尺寸的減小,清洗效果下降,對于小于1um的 顆粒的去除效果并不太好。為了增加超聲波清洗效果,有時 在清洗液中加入表面活性劑。但表面活性劑和其他化學試劑 一樣,也存在污染。無機物被除去后,化學試劑本身的粒子 卻留下了。同時由于聲波能的作用,會對硅片造成損傷。

超聲清洗是半導體工業中廣泛應用的一種清洗方法,它 具有以下特點:

(1)清洗效果好;

(2)操作簡單;

(3)對于復雜的器件和容器也能清除;

(4)噪音較大;

(5)換能器易壞。

3、兆聲清洗技術

兆聲是指頻率在500kHz?499GHz范圍內的聲波。

兆聲清洗的原理是主要由于聲壓梯度、粒子速度及聲流 的作用,而空化效應是次要的,由高能頻振效應并結合化學 清洗劑的化學反應對硅片進行清洗的。圖4為兆聲清洗系統示意圖。

第七課:硅片的超聲和兆聲清洗技術

▲?圖4 兆聲清洗系統示意圖

兆聲清洗是用0.8?1.0MHz的聲波去除晶片上的顆粒, 由換能器發出波長為1um、頻率為0.8兆赫的高能聲波, 通過兆聲振板傳遞到清洗液中,清洗液分子在這種聲波的推 動下作加速運動,最大瞬時速度可達到30cm/s。由于頻率 太高,聲波在清洗液中很難發生空化效應,清洗時不形成超 聲波清洗那樣的氣泡,而是利用高頻聲波能量在清洗液中形 成的高速微水流連續沖擊晶片表面,使物體表面附著的表面 小于0.2um污染物和細小顆粒被強制除去并進入到清洗液 中。這種清洗的特點是清洗方向性強,清洗時一般將零件表 面置于與聲束平行的方向(見圖5)。

第七課:硅片的超聲和兆聲清洗技術

▲?圖5?

物空冷器(A-53101/A~H)而言,采用10#鋼換熱管的設備 總價約400萬元人民幣,采用復合鋼管換熱管的設備總價約 450萬元人民幣,而如采用INCONLOY825換熱管的設備總價 約5000萬元人民幣。

可見,直接投資可一次性節約4550萬元人民幣,若使 用壽命達三年以上,則直接經濟效益為:(400*3-450)/3=250 萬元人民幣/年。從減少非計劃停車和消除安全隱患方面來 看,意義更加重大,間接經濟效益可達1000萬元/年。

而對于整個工業系統來說,這種復合鋼管的成功應用, 必將因其在節約一次性投資和直接經濟效益上的明顯優勢, 從而在設計、選材策略方面,發生重大變化,為我國國民經 濟的發展,做出巨大的貢獻。

兆聲清洗的顆粒去除度與聲波流的空穴作用、氣體溶解 度和振蕩效應都有關系。為了達到清洗目的,也常使用表面 活性劑,使粒子不再沉淀在表面上。

兆聲清洗能同時起到機械擦片和化學清洗兩種方法的 作用。兆聲清洗不但保持了超聲清洗的優點,而且克服了它 的不足。這種方法避免了因空化作用而造對某些物體表面的 損傷;同時在兆聲清洗過程中,無機械移動部件,因此可減 少在清洗過程本身所造成的沾污。

兆聲清洗技術已成為拋光片清洗的一種有效方法,它具 有以下的特點:

(1)去除小于0.2um的微小顆粒;

(2)避免了空化現象可能引起的對物件表面的損傷;

(3)高密度的能量提供高效的清洗效果;

(4)線性方向的高速流動可以防止雜質重新附著在物 件表面。

4、超聲和兆聲清洗技術的比較

第七課:硅片的超聲和兆聲清洗技術

▲超聲和兆聲清洗技術的比較



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