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發布時間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領域,濕法設備占據約40%以上的工藝,隨著工藝技術的不斷發展,濕法設備已經成為LED外延及芯片制造領域的關鍵設備,如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。南通華林科納CSE深入研究LED生產工藝,現已形成可滿足LED產業化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設備 設備名稱南通華林科納CSE-外延片清洗機設備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應用領域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術系統潔凈性技術均勻性技術晶圓片N2干燥技術模塊化系統集成技術自動傳輸及精確控制技術溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術主要技術特點系統結構緊湊、安全腔體獨立密封,具有多種功能可實現晶圓干進干出采用工控機控制,功能強大,操作簡便可根據用戶要求提供個性化解決方案設備制造商南通華林科納半導體設備有限公司 www.zgcxlmw.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(www.zgcxlmw.com),現在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體行業相關清洗設備解決方案。
發布時間: 2017 - 12 - 06
旋轉式噴鍍臺結合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規格和特殊應用要求等特點,在6" (150mm)晶圓電鍍系統中采用了傾斜式旋轉噴鍍技術傾斜式旋轉噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉單元、導線電刷、N2 保護單元組成的陰極回轉體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉噴鍍結構示意圖如下:從鍍制結構方式、鍍制工藝應用分析可以看出,采用傾斜式旋轉噴鍍有以下幾種優勢。一是這種結構方式易實現槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉運動使槽內電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射,實現攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結構方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產需求。傾斜旋轉噴鍍技術、工藝優勢斜式三角鍍槽結構本系統采用傾斜式三角形鍍槽結構,鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩定且不易積累氣泡的流場環境。通過進行相關模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結構,可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結構的另一優點可使電鍍液的用量減至最少程度。 南通華林科納CSE采用傾斜旋轉噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理,由于結構上的特點,該方法經實驗驗證具有:①結構簡單;②工藝參數控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應于小批量、多規格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉噴鍍系統,目前已批量生產并在工藝線上得到較好的應用,產品已通過技術定型鑒定和用戶驗收。實現的主要工藝指標:最大晶...
發布時間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機1. 應用范圍:l 本機臺適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規格l 機臺內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
發布時間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE南通華林科納半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數非常少(到25nm可對應)例:附著粒子數…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設備相關信息可以關注華林科納CSE官網(www.hlkncas.com),現在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
發布時間: 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(CDS)-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-CDS自動供酸系統 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式設備名稱南通華林科納CSE-CDS自動供酸系統設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統設備規格 1. 系統主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統;2. 操作模式: CDS 系統皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執行,兼具自動化與親和力。在自動模式情形...
發布時間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system南通華林科納CSE-自動單片式腐蝕清洗機應用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應用領域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領 域半導體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設備穩定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機)2、節約成本(藥液循環利用,消耗量遠低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結構,占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關設備可以關注南通華林科納半導體官網,關注http://www.zgcxlmw.com ,400-8768-096,18913575037
發布時間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-氫氟酸供液系統 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式 設備名稱南通華林科納CSE-氫氟酸(HF)供液系統設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統設備規格 1. 系統主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統;2. 操作模式: CDS 系統皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執行,兼具自動化與親和力。在...
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中國FAB廠與大硅片項目布局圖

時間: 2018-10-17
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2017年,中國集成電路進口金額2600億美元,遠超石油進口額。2014年出臺《國家集成電路產業發展推進綱要》,并成立國家集成電路產業基金,體現了政策的高度重視。2017年,全球晶圓制造材料市場規模260億美元,其中硅片市場規模90億美元,占比近30%。政策的重視與市場需求,驅動了FAB與大硅片項目的投資布局。

中國FAB工廠項目與列表如下


中國FAB廠與大硅片項目布局圖

目前中國大陸共計有27座12英寸晶圓廠,18座8英寸晶圓,其中有10座12英寸晶圓廠及6座8英寸晶圓廠處于建設當中。項目主要集中在北京、成都、重慶及江浙一帶。具體項目信息如下表所示:

中國FAB廠與大硅片項目布局圖

多數項目仍然在建設中,或處于初期產能爬升階段。在晶圓加工制程方面,中芯國際、華力微電子、武漢新芯、紫光集團以及國內三大存儲基地長江存儲、晉華集成、合肥長鑫正在進入國際先進制程,中國芯片自主制造已成進行時。

大硅片需求旺盛,市場強勁增長

待上表所有Fab廠投產后,將多出185萬片/月的12英寸晶圓加工產能及35萬片/月的8英寸晶圓加工產能,這對于上游原材料——硅片的供應提出了新的需求。而目前,全球硅片市場已經處于供不應求的狀態。

國際硅片供片龍頭往往與晶圓加工大廠如臺積電、三星等建立著長期的供應關系。在全球8英寸硅片缺貨的背景下,中國自主新建的Fab廠恐怕難以與臺積電、三星、英特爾等大廠進行競爭,因此獲得國際硅片龍頭8英寸硅片的充足供應,可能會受到一定的局限。

中國FAB廠與大硅片項目布局圖

2012年至今,200mm及300mm硅片需求從整體上來看提高較多,2012年第一季度,200mm、300mm硅片的需求約為360萬片/月,到2018年第二季度,200mm硅片、300mm硅片的需求已超過550萬片/月,增長超過50%。2016年第二季度至今,200mm硅片及300mm硅片需求一路走高,增速遠超以往,目前依舊保持著較高增長。

2017年Shin-Etsu、SUMCO、環球晶圓、Siltronic AG、SK Siltron五家生產商半導體硅片市場總和為87.1億美元。Shin-Etsu 仍為全球最大的半導體硅片供應商,2017年硅片銷售收入達到25.84億美元,約占總份額的29.68%,SUMCO緊隨其后,約占26.48%。

2018年,各生產商硅片銷售收入呈現較大幅度增長,結合全球目前硅片供需形勢,下半年度收入將繼續保持增長。亞化咨詢數據顯示,2018年上半年硅片市場超過50億美元,預計2018年全球硅片市場將達到110億美元。

中國FAB廠與大硅片項目布局圖

未來中國大硅片項目積極建設,完善產業鏈配套

中國積極布局半導體大硅片生產制造領域。直至目前,中國在8及12英寸硅片生產上已投資數百億元人民幣。亞化咨詢數據顯示,未來中國新增8英寸硅片設計產能將超過210萬片/月。

中國FAB廠與大硅片項目布局圖

拋開外資晶圓廠(三星西安、SK海力士無錫、英特爾大連、聯芯廈門、成都格芯等),多數國內新建的8/12英寸Fab廠主要集中在浙江、安徽、江蘇三省以及上海這塊區域。而國產8/12英寸大硅片項目中,拉晶產線主要位于寧夏、內蒙等地,而切片生產線主要集中在浙江、安徽、江蘇三省以及上海,比如杭州的中芯晶圓,金瑞泓、上海超硅、上海新昇、中環領先半導體、安徽易芯等,與多數國內新建的8/12英寸Fab廠地理距離較小。低運輸費用將推動未來中國大硅片產業配套能力。未來新增產能,也將將帶動半導體材料及設備的強勁需求。

中國FAB廠與大硅片項目布局圖

從大硅片供應鏈來看,設備及材料這塊基本被美國、德國、日本、韓國等廠商所控制。日本企業尤為突出,在切、磨、拋設備及漿料、切削油等材料方面占據主導地位。

國內大硅片領先企業——上海新陽曾透露,該公司12英寸大硅片生產線所用的拉晶爐主要采購自韓國、日本、德國,切割、研磨、拋光設備主要采購自日本,部分非關鍵設備采購自韓國和臺灣。

單晶爐是硅片生產中的關鍵設備,單晶爐設備的優良直接影響到單晶硅棒中硅的純度及雜質含量。目前全球半導體級大尺寸單晶爐主要由KAYEX、Carbulite Gero等國外廠商供應。

雖然目前差距甚大,但是中國企業的追趕也已經起步。10月16日,晶盛機電股份宣布與中環領先半導體材料就集成電路用8-12英寸半導體硅片項目四工段設備采購第一包及第二包簽訂了設備購銷合同,合同金額合計4.028億元。根據合同,雙方就半導體單晶爐與半導體單晶硅切斷機、滾磨機設備達成合作。其中,半導體單晶爐合同總價款為3.6億元,按月分批交貨,于2019 年 5 月底前交付全部設備;半導體單晶硅切斷機、滾磨機合同總價款4240萬元,按月分批交貨,2019 年 8 月底前交付全部設備。亞化咨詢認為,此次中標,是半導體單晶爐國產化的一大步。

中國企業在半導體大硅片材料、設備領域較為薄弱,需要與國際領軍企業交流學習技術,借鑒成功經驗,發展壯大。助力中國半導體產業的崛起。

來源:亞化咨詢



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