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發布時間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領域,濕法設備占據約40%以上的工藝,隨著工藝技術的不斷發展,濕法設備已經成為LED外延及芯片制造領域的關鍵設備,如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。南通華林科納CSE深入研究LED生產工藝,現已形成可滿足LED產業化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設備 設備名稱南通華林科納CSE-外延片清洗機設備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應用領域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術系統潔凈性技術均勻性技術晶圓片N2干燥技術模塊化系統集成技術自動傳輸及精確控制技術溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術主要技術特點系統結構緊湊、安全腔體獨立密封,具有多種功能可實現晶圓干進干出采用工控機控制,功能強大,操作簡便可根據用戶要求提供個性化解決方案設備制造商南通華林科納半導體設備有限公司 www.zgcxlmw.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(www.zgcxlmw.com),現在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體行業相關清洗設備解決方案。
發布時間: 2017 - 12 - 06
旋轉式噴鍍臺結合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規格和特殊應用要求等特點,在6" (150mm)晶圓電鍍系統中采用了傾斜式旋轉噴鍍技術傾斜式旋轉噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉單元、導線電刷、N2 保護單元組成的陰極回轉體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉噴鍍結構示意圖如下:從鍍制結構方式、鍍制工藝應用分析可以看出,采用傾斜式旋轉噴鍍有以下幾種優勢。一是這種結構方式易實現槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉運動使槽內電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射,實現攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結構方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產需求。傾斜旋轉噴鍍技術、工藝優勢斜式三角鍍槽結構本系統采用傾斜式三角形鍍槽結構,鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩定且不易積累氣泡的流場環境。通過進行相關模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結構,可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結構的另一優點可使電鍍液的用量減至最少程度。 南通華林科納CSE采用傾斜旋轉噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理,由于結構上的特點,該方法經實驗驗證具有:①結構簡單;②工藝參數控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應于小批量、多規格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉噴鍍系統,目前已批量生產并在工藝線上得到較好的應用,產品已通過技術定型鑒定和用戶驗收。實現的主要工藝指標:最大晶...
發布時間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機1. 應用范圍:l 本機臺適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規格l 機臺內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
發布時間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE南通華林科納半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數非常少(到25nm可對應)例:附著粒子數…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設備相關信息可以關注華林科納CSE官網(www.hlkncas.com),現在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
發布時間: 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(CDS)-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-CDS自動供酸系統 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式設備名稱南通華林科納CSE-CDS自動供酸系統設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統設備規格 1. 系統主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統;2. 操作模式: CDS 系統皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執行,兼具自動化與親和力。在自動模式情形...
發布時間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system南通華林科納CSE-自動單片式腐蝕清洗機應用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應用領域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領 域半導體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設備穩定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機)2、節約成本(藥液循環利用,消耗量遠低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結構,占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關設備可以關注南通華林科納半導體官網,關注http://www.zgcxlmw.com ,400-8768-096,18913575037
發布時間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-氫氟酸供液系統 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式 設備名稱南通華林科納CSE-氫氟酸(HF)供液系統設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統設備規格 1. 系統主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統;2. 操作模式: CDS 系統皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執行,兼具自動化與親和力。在...
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刻蝕方法分為:干法刻蝕和濕法刻蝕,干法刻蝕是以等離子體進行薄膜刻蝕的技術,一般是借助等離子體中產生的粒子轟擊刻蝕區,它是各向異性的刻蝕技術,即在被刻蝕的區域內,各個方向上的刻蝕速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術;濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內進行腐蝕的技術,這是各向同性的刻蝕方法,利用化學反應過程去除待刻蝕區域的薄膜材料,通常SiO2采用濕法刻蝕技術,有時金屬鋁也采用濕法刻蝕技術,國內的蘇州華林科納CSE在濕法這塊做得比較好。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程:二氧化硅腐蝕:在二氧化硅硅片腐蝕機中進行,國內腐蝕機做的比較好的有蘇州華林科納(打個廣告),腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時,腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高,腐蝕越快,摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對溫度最敏感,溫度越高,腐蝕越快。具體步驟為:1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤劑(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡10—15S,上下晃動,浸潤劑(FUJI FILM DRIWEL)的作用是減小硅片的表面張力,使得腐蝕液更容易和二氧化硅層接觸,從而達到充分腐蝕;2、將片架放入裝有二氧化硅腐蝕液(氟化銨溶液)的槽中浸泡,上下晃動片架使得二氧化硅腐蝕更充分,腐蝕時間可以調整,直到二氧化硅腐蝕干凈為止;3、沖純水;4、甩干。二氧化硅腐蝕機理為:SiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2SiF6H2SiF6(六氟硅酸)是可溶于水的絡合物,利用這個性質可以很容易通過光刻工藝實現選擇性腐蝕二氧化硅。為了獲得穩定的腐蝕速率,腐蝕二氧化硅的腐蝕液一般用HF、NH4F與純水按一定比例配成緩沖液。由于基區的氧化層較發射區的厚,以前小功率三極管的三次光刻(引線孔光刻)一般基極光刻和發射極光刻分步光刻,現在大部分都改為...
金屬剝離清洗機-南通華林科納CSE微機電系統(MEMS)是指用微機械加工技術制作的包括傳感器/微致動器/微能源/等微機械基本部分以及高性能的電子集成線路組成的微機電器件與裝置。其典型的生產工藝流程為:成膜工藝(氧化/CVD:LPCVD PECVD/PVD:濺射/電鍍/摻雜:擴散 注入 退火)→光刻圖形(旋涂/光刻/顯影)→干法/濕法/ 刻蝕(濕法刻蝕/硅刻蝕/SiO?刻蝕/去膠清洗/金屬刻蝕/金屬剝離/RCA清洗)設備名稱南通華林科納CSE-金屬剝離清洗機設備系列CSE-CX13系列設備概況尺寸(參考):機臺尺寸 : 1750mmWx1400mmDx1900mmH(具體尺寸根據實際圖紙確定)清洗量:6寸25裝花籃2籃;重量:500Kg( 大約);工作環境:室內放置;主體構造特點外 殼:不銹鋼304 板組合焊接而成。安全門:無安全門,采用敞開式設計;管路系統:藥液管路采用不銹鋼管,純水管路采用CL-PVC管;閥門:藥液管路閥門采用不銹鋼電磁閥門;排 風:后下抽風,動力抽風法蘭位于機臺上部;水汽槍:配有水氣槍各2把,分置于兩側;隔板:藥液槽之間配有隔離板,防止藥液交叉污染;照明:機臺上方配照明(與工作區隔離);機臺支腳:有滑輪裝置及固定裝置,并且有高低調整及鎖定功能。三色警示燈置于機臺上方明顯處。工作槽參數剝離洗槽槽體:不銹鋼316,有效尺寸405×220×260mm;化學藥品:剝離洗液;藥液供液:人工手動加入;工作溫度:60℃并可調;溫度可調;加熱方式:五面體貼膜加熱/投入式加熱器加入熱;液位控制:采用N2背壓數位檢測; 計時功能:工藝時間可設定,并可調,到設定時間后聲鳴提示,點擊按鈕后開始倒序計時;批次記憶:藥液使用次數可記憶,藥液供入時間可記憶,設定次數和設定時間到后更換藥液;排液:排液管道材質為不銹鋼管,按鈕控制;槽蓋:配有手動槽蓋;IPA槽槽體:不...
管道清洗機設備—華林科納CSE半自動石英管清洗設備適用于臥式或立式石英管清洗優點石英管清洗:臥式—標準/立式—選項 先進的圖形化界面 極高的生產效率 最佳的占地 結合最先進工藝技術 優越的可靠性 獨特的模塊化結構 極其便于維修 應用 清洗不同尺寸的石英管一般特征 可編程使得清洗管旋轉,清洗更干凈 PVDF工藝槽 裝有清洗溶劑的儲備槽(根據使用化學品的數量)放置在工藝槽的后下方 — 直接注入且內部進行不斷循環 特別的噴淋嘴更益于石英管清洗 集成水槍和N2搶 單獨排液系統 安全蓋子 易于操作和控制 節約用酸系統 全自動的清洗工藝步驟 備件 經濟實惠的PP外殼材料—標準更多的石英管道清洗機設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(www.zgcxlmw.com),現在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
零部件清洗機_華林科納CSECleanStep的零部件被設計用于PECVD刻蝕清洗設備,以及石墨舟、石英舟、碳化硅舟等擴散舟的刻蝕和清洗設備。優點 通過關閉的工藝腔室的安全操作,加載和僅一次工藝腔室沖洗之后卸載,完成整個工藝過程。 安全門自鎖裝置 工藝腔室保護防止水溢流 排風監控部件 用于門自鎖的電導傳感器(僅適用于石英舟清洗設備) 簡便、安全操作的高品質觸摸屏 很少的化學品消耗產生最小的生產費用,與浸泡式工藝相比至少節約2-3倍 減少了操作次數 化學品的消耗,與浸泡式工藝相比要少于大約10倍 穩定的清洗工藝,水的消耗,與浸泡式工藝相比少于2倍 設備高利用率和低維修率,得益于它獨特的模塊化設計和長壽命零部件的應用 最佳的占地應用CleanStep的零部件被設計用于PECVD刻蝕清洗設備,以及石墨舟、石英舟、碳化硅舟等擴散舟的刻蝕和清洗設備。標準化設計的設備是用于2個石墨舟或4個石英舟的清洗。同時也強有力的證明了用噴淋工藝代替浸泡工藝不僅節約了工藝時間,同時也節約了化學品的消耗量。選項 廢液槽起重裝置 系統外殼結構[FM認可材質] HF有毒氣體檢測裝置 Centrotherm 一套石墨舟花籃可裝載19片到21片晶圓«可拆卸石墨舟« Centrotherm 一套石墨舟可裝載23片«可拆卸石墨舟« 石英部件清洗的石英舟夾具 漏液盤連接閥 電阻率監測裝置 手動加載花籃干燥的烘干箱 30升的HNO3 / HF/ DI-H2O的預備槽 獨立的設備化學品供應用于回收用過的HF 氮氧化物有毒氣體檢測裝置 晶圓背面腐蝕的ACL片盒夾 N2 凈化更多的半導體零部件清洗機設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(www.zgcxlmw.com),現在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
1、設備概況:主要功能:本設備主要采用手動搬運方式,通過對擴散、外延等設備的石英管、碳化硅管腐蝕、漂洗等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的清洗效果。主體采用德國勞士領 瓷白PP板,骨架采用不銹鋼 外包PP 防腐板;設備名稱:半自動石英管清洗機設備型號:CSE-SC-N401整機尺寸(參考):4500mm*1500mm*2100mm;被清洗爐管尺寸(Max):也可清洗其它可放入清洗槽中的石英器皿等被清洗物設備形式:室內放置型;節拍:約1--12小時(節拍可調根據實際工藝時間而定)      操作形式:半自動2、設備描述:此裝置是一個半自動的處理設備。PROFACE 8.0英寸大型觸摸屏顯示 / 檢測 / 操作清洗工作過程由三菱 / 歐姆龍PLC控制。3、設備特點: 腐蝕漂洗能力強,性能穩定,安全可靠;設備成本合理,自動化程度高,使用成本低;技術先進,結構合理,適宜生產線上大批次操作;結合華林科納公司全體同仁之力,多年品質保障,使其各部分遠遠領先同類產品;設備上層電器控制系統及抽風系統,中層工作區,下層為管道安裝維修區,主體結構由清洗機主體、酸洗槽、水清洗槽、防漏盤、抽風系統、工件滾動系統、氮氣鼓泡系統、支撐及旋轉驅動機構、管路部分、電控部分。本設備裝有雙防漏盤結構,并有防漏檢測報警系統,在整臺設備的底部裝有接液盤。設備配有在槽體下方配有傾斜式防漏層。4、工藝流程:檢查水、電、氣正常→啟動電源→人工上料→注酸→槽體底部氮氣鼓泡→石英管轉動(7轉/min)→進入酸泡程序→自動排酸(到儲酸箱)→槽體底部自動注水(同時氣動碟閥關閉)→懸浮顆粒物經過溢流壩流出→排水碟閥打開(重顆粒雜質排出)→初級潔凈水經過溢流壩溢出→清洗次數重復循環(人工控制)→下料。 酸洗和水洗在同一槽內完成1#,2#可通過循環泵循環使用...
顯影清洗機CSE-南通華林科納微機電系統(MEMS)是指用微機械加工技術制作的包括傳感器/微致動器/微能源/等微機械基本部分以及高性能的電子集成線路組成的微機電器件與裝置。其典型的生產工藝流程為:成膜工藝(氧化/CVD:LPCVD PECVD/PVD:濺射/電鍍/摻雜:擴散 注入 退火)→光刻圖形(旋涂/光刻/顯影)→干法/濕法/ 刻蝕(濕法刻蝕/硅刻蝕/SiO?刻蝕/去膠清洗/金屬刻蝕/金屬剝離/RCA清洗)設備概述設備名稱:顯影清洗機整機尺寸:約1000mm(L) ×1260mm(W) ×1900mm(H)(具體尺寸根據實際圖紙確定)主體構造特點設備包括設備主體、電氣控制部分、顯影清洗槽等;并提供與廠務供電、供氣、供水、排廢水、排氣系統配套的接口等主體設備主體使用德國勞士林10mm瓷白PP骨架SUS304+PP德國勞士領板組合而成安全門設備安裝高透明PVC上下推拉安全門,分隔與保護人員安全;邊緣處設備密封條臺面高度約900mm,適合高于1.5米人群操作工藝槽模組化設計,放置在同一個承漏底盤中。底盤采用滿焊接工藝加工而成,杜絕機臺的滲漏危險。管路系統位于設備下部,所有工藝槽、管路、閥門部分均有清晰的標簽注明;藥液管路采用勞士林PP管,純水管路采用積水CL-PVC管,廢液可通過專用管道排放電氣保護電器控制、氣路控制和工藝槽控制部份在機臺頂部電控區,電氣元件有充分的防護以免腐蝕以保障設備性能運行穩定可靠。工作照明上方防酸型照明220V 40W 可更換水氣槍機臺前部配備有PP純水槍和PP CDA槍各一只置左右兩側,水槍滴漏活水設計,方便操作員手工清洗槽體或工件機臺支腳有滑輪裝置及固定裝置并加防腐座,并且有高低調整及鎖定功能安全保障完善的報警和保護設計,排風壓力、液位、排液均有硬件或軟件互鎖,直觀的操作界面,清晰的信息提示,保障了生產、工藝控制和安全性三色警示...
無機清洗機?設備名稱:無機清洗機?設備型號:CSE-JR11-WJ04?整機尺寸(參考):約2000mmL×1400mmW×2000mmH;?硅片尺寸:2寸~6寸?工作環境:室內放置;?操作形式:手動?重量:650Kg( 大約);蘇州華林科納半導體設備技術有限公司由中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所合資成立于2008年3月,投資4500萬元。主要從事半導體設備、太陽能光伏設備、液晶濕制程設備、真空設備的研發、技術推廣和生產銷售。
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