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產品名稱:

雙腔甩干機

上市日期: 2016-06-22

?甩干機 (1).png

雙腔甩干機

1. 應用范圍:

l?本機臺適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.

l?設備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50~100片.

l?可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).

l?具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.

l?高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.

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2. 操作流程

操作流程.png

3. 圖示

圖示.png

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4. 規格

l?機臺內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件

l?直流式馬達: DC無刷馬達750W

l?真空負壓軸封設計,隔離槽外污染

l?不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μm

l?氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率< 200 °C ±10% (加熱棒本體)

l?壓力感測保護(加熱器空燒保護)

l?槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)

l??Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣

l?不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨

l?單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做

l?轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正

l?可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂

故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告

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5. 電控系統

l??控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。

l?軟體功能

??編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。

??儲存能力

記憶模組:參數記憶,配方設定。

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6. 廠務需求

l?電力需求: AC220V單向?40A (2組電源)

l??DI:3/8” PFA Tube, 30~40 psi.

l??N2:1/2” PFA Tube, 30~40 psi.

l??CDA :1/4” Tube, 30~50psi.

l?Drain : 1-1/2” PVC Tube.

l?尺寸:480mm(W)x800mm(L)x1800mm(H)


更多的立式腔甩干機設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(www.zgcxlmw.com),現在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。

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雙腔甩干機

1. 應用范圍:

l?本機臺適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.

l?設備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50~100片.

l?可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).

l?具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.

l?高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.

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2. 操作流程

操作流程.png

3. 圖示

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4. 規格

l?機臺內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件

l?直流式馬達: DC無刷馬達750W

l?真空負壓軸封設計,隔離槽外污染

l?不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μm

l?氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率< 200 °C ±10% (加熱棒本體)

l?壓力感測保護(加熱器空燒保護)

l?槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)

l??Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣

l?不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨

l?單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做

l?轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正

l?可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂

故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告

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5. 電控系統

l??控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。

l?軟體功能

??編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。

??儲存能力

記憶模組:參數記憶,配方設定。

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6. 廠務需求

l?電力需求: AC220V單向?40A (2組電源)

l??DI:3/8” PFA Tube, 30~40 psi.

l??N2:1/2” PFA Tube, 30~40 psi.

l??CDA :1/4” Tube, 30~50psi.

l?Drain : 1-1/2” PVC Tube.

l?尺寸:480mm(W)x800mm(L)x1800mm(H)

?重量:205Kgs

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自動供酸系統(CDS)-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-CDS自動供酸系統 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式設備名稱南通華林科納CSE-CDS自動供酸系統設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內...
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IPA干燥設備-華林科納CSE南通華林科納CSE-IPA干燥設備主要用于材料加工 太陽能電池片 分立器件 GPP等行業中晶片的沖洗干燥工藝,單臺產量大,效率高設備名稱南通華林科納CSE-IPA干燥設備應用范圍適用于2-8”圓片及方片動平衡精度高規格工藝時間: 一般親水性晶圓片: ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圓片: ≤30 增加 @ 0.12 μm金屬含量: 任何金屬≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑點: 干燥后無斑點IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run 設備制造商南通華林科納半導體設備有限公司 www.zgcxlmw.com 400-8768-096 ;18913575037IPA 干燥系統組成: IPA干燥工藝原理 01: ...
2016 - 03 - 07
刻蝕方法分為:干法刻蝕和濕法刻蝕,干法刻蝕是以等離子體進行薄膜刻蝕的技術,一般是借助等離子體中產生的粒子轟擊刻蝕區,它是各向異性的刻蝕技術,即在被刻蝕的區域內,各個方向上的刻蝕速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術;濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內進行腐蝕的技術,這是各向同性的刻蝕方法,利用化學反應過程去除待刻蝕區域的薄膜材料,通常SiO2采用濕法刻蝕技術,有時金屬鋁也采用濕法刻蝕技術,國內的蘇州華林科納CSE在濕法這塊做得比較好。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程:二氧化硅腐蝕:在二氧化硅硅片腐蝕機中進行,國內腐蝕機做的比較好的有蘇州華林科納(打個廣告),腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時,腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高,腐蝕越快,摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對溫度最敏感,溫度越高,腐蝕越...
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