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Products 產品詳情
產品名稱:

芯片鍍金設備-CSE

上市日期: 2017-12-06

?芯片鍍金設備-南通華林科納CSE

? ?晶圓電鍍工藝在半導體、MEMS、LED 和 WL package 等領域中應用非常廣泛。南通華林科納的晶圓電鍍設備針對這些應用研發和生產的,對所有客戶提供工藝和設備一體化服務。產品分生產型和研發型兩大類,適合不同客戶的需求。?
芯片鍍金設備-CSE1.jpg

設備名稱

南通華林科納CSE-芯片鍍金設備

應用領域:

半導體、MEMS、LED

操作模式:

PLC集成控制

具體應用:

電鍍、電鑄

工藝類型:

電鍍Au,Cu,Ni,Sn,Ag

晶圓尺寸:

8inch或以下尺寸,單片或多片

基本配置:

操作臺(1套),主電鍍槽(2套),腐蝕槽(2套),清洗(1套)

設備功能和特點

(不同電鍍工藝配置有所差異)?

1. 產品名稱:芯片鍍金設備?
2. 產品系列:CSE-XL
3. 晶圓尺寸:4-6inch.?
4. 集成控制系統,內置MST-MP-COTROL程序?
5. 主體材料:勞士領PP?
6. 四面溢流設計?
7. 溫度控制系統:70+/-1C?
8. 循環過濾出系統,流量可調。?
9. 垂直噴流掛鍍操作。?
10. 專用陰陽極?
11. 陰極擺動裝置,頻率可調。?
12. 陽極均化裝置。?
13. 防氧化系統。?
14. 充N2裝置。?
15. 排風操作臺,風量可調。?
16. 活化腐蝕系統。?
17. 三級清洗系統。?
18. 電鍍液體系:均為無氰電鍍液體系。?
19. 工藝:表面均勻,厚度1-100um,均勻性5%?

設備制造商

南通華林科納半導體設備有限公司 www.zgcxlmw.com?400-8768-096 ;18913575037

更多晶圓電鍍設備可以關注南通華林科納半導體設備官網www.zgcxlmw.com;現在咨詢400-8768-096,18913575037可立即免費獲取華林科納CSE提供的晶圓電鍍設備的相關方案

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枚葉式清洗機-華林科納CSE南通華林科納半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數非常少(到25nm可對應)例:附著粒子數…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設備相關信息可以關注華林科納CSE官網(www.hlkncas.com),現在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
2016 - 03 - 07
自動供酸系統(CDS)-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-CDS自動供酸系統 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式設備名稱南通華林科納CSE-CDS自動供酸系統設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內...
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IPA干燥設備-華林科納CSE南通華林科納CSE-IPA干燥設備主要用于材料加工 太陽能電池片 分立器件 GPP等行業中晶片的沖洗干燥工藝,單臺產量大,效率高設備名稱南通華林科納CSE-IPA干燥設備應用范圍適用于2-8”圓片及方片動平衡精度高規格工藝時間: 一般親水性晶圓片: ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圓片: ≤30 增加 @ 0.12 μm金屬含量: 任何金屬≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑點: 干燥后無斑點IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run 設備制造商南通華林科納半導體設備有限公司 www.zgcxlmw.com 400-8768-096 ;18913575037IPA 干燥系統組成: IPA干燥工藝原理 01: ...
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刻蝕方法分為:干法刻蝕和濕法刻蝕,干法刻蝕是以等離子體進行薄膜刻蝕的技術,一般是借助等離子體中產生的粒子轟擊刻蝕區,它是各向異性的刻蝕技術,即在被刻蝕的區域內,各個方向上的刻蝕速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術;濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內進行腐蝕的技術,這是各向同性的刻蝕方法,利用化學反應過程去除待刻蝕區域的薄膜材料,通常SiO2采用濕法刻蝕技術,有時金屬鋁也采用濕法刻蝕技術,國內的蘇州華林科納CSE在濕法這塊做得比較好。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程:二氧化硅腐蝕:在二氧化硅硅片腐蝕機中進行,國內腐蝕機做的比較好的有蘇州華林科納(打個廣告),腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時,腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高,腐蝕越快,摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對溫度最敏感,溫度越高,腐蝕越...
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